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NMOS用单片机IO驱动问题

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zhuotuzi|  楼主 | 2024-10-31 16:41 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
如果用IO驱动NMOS来驱动电机转动,或者调光,NMOS漏极源极之间用12V供电或者24V供电,那么栅极G要提供多少电压的驱动呢?单片机的3.3V或者5V不行吧?

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沙发
huahuagg| | 2024-10-31 16:46 | 只看该作者
肯定不行吧,根三极管一样,要达到开启电压,最好到达饱和电压。

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stormwind123| | 2024-11-7 12:47 | 只看该作者
对于NMOS漏极源极之间用12V或24V供电的情况,栅极G所需的驱动电压通常高于单片机的3.3V IO电压,但可能接近或低于5V IO电压。

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地板
nomomy| | 2024-11-7 20:32 | 只看该作者
单片机的IO口虽然具有一定的驱动能力,但其电流输出通常较小,一般在10-20mA范围内

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albertaabbot| | 2024-11-8 09:14 | 只看该作者
为了防止NMOS管栅极悬空,可以在栅极和地之间添加一个下拉电阻,或者在栅极和电源之间添加一个上拉电阻

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sheflynn| | 2024-11-8 10:04 | 只看该作者
单片机IO口的输出电压需要高于NMOS管的阈值电压,才能保证NMOS管正常导通

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7
10299823| | 2024-11-8 11:20 | 只看该作者
当负载电流过大时,MOS管可能会因为过流而损坏。

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loutin| | 2024-11-8 13:03 | 只看该作者
为了确保NMOS管能够可靠地导通和截止,特别是在驱动大电流负载时,通常会在单片机IO口和NMOS管之间增加一个三极管。三极管作为电流放大器,可以提供更高的驱动电流和电压,从而更好地控制NMOS管。

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bestwell| | 2024-11-8 14:49 | 只看该作者
单片机的IO口输出的逻辑电平与MOS管的控制逻辑不匹配。

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everyrobin| | 2024-11-8 16:32 | 只看该作者
单片机IO口输出的电流必须能够满足NMOS晶体管导通时的需求。如果单片机IO口的驱动能力不足以提供所需的电流,那么NMOS可能无法完全导通或工作不稳定

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caigang13| | 2024-11-8 18:59 | 只看该作者
最好是加一个前级驱动器来驱动mos

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abotomson| | 2024-11-8 19:48 | 只看该作者
在布线时,要尽量缩短单片机 IO 口与 NMOS 管之间的连线长度,以减少信号传输延迟和干扰。同时,要避免将 NMOS 管的驱动线与其他高频信号线或大电流线并行布线,防止电磁干扰。

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yeates333| | 2024-11-8 20:11 | 只看该作者
当NMOS晶体管工作在大电流状态时,会产生较多的热量。因此,需要采取适当的散热措施,以确保NMOS晶体管能够稳定工作。

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maqianqu| | 2024-11-8 20:24 | 只看该作者
单片机IO口输出的电压必须足够高,以克服NMOS的阈值电压并使其导通。通常,单片机IO口的输出电压在3.3V或5V左右,这通常足够驱动大多数NMOS晶体管。

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linfelix| | 2024-11-8 20:35 | 只看该作者
在NMOS管的栅极和源极/漏极之间添加ESD保护二极管,以防止静电损坏。

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nomomy| | 2024-11-8 21:00 | 只看该作者
如果单片机的电源电压与 NMOS 管的驱动电压不同,还需要进行电平转换。比如,单片机使用 3.3V 电源,而 NMOS 管需要 5V 驱动电压时,可以使用电平转换芯片或简单的电阻分压电路来实现电平转换

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17
plsbackup| | 2024-11-8 21:10 | 只看该作者
单片机 IO 口的输出信号上升沿和下降沿时间相对较慢,而在一些需要快速开关 NMOS 管的应用中

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18
dspmana| | 2024-11-8 21:21 | 只看该作者
需要仔细考虑单片机IO口的驱动能力、NMOS晶体管的特性以及驱动电路的设计等因素。

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19
ulystronglll| | 2024-11-8 21:32 | 只看该作者
增加驱动电流,提高MOS管的开关速度;选择合适的MOS管型号,确保其能够承受负载电流;在电路中加入散热装置。

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febgxu| | 2024-11-8 21:55 | 只看该作者
在单片机IO口输出低电平时,NMOS管能够完全关断。

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