本帖最后由 xch 于 2024-11-8 10:15 编辑
可以改良。
方法:
R24 改成100 ohm /0.5W ,这样光耦发光二极管的工作电流大约 (5V - 1.2V)/100Ω = 38mA ;
Q6 是个高频高 hfe 管子就行。
R23 改成 600 ohm。光耦传输系数大于50%,也就是最小19mA 驱动电流 ,19mA * 600Ω = 12V
根据手册,SI7137 的输入电容达20nF, R23 * 20nF = 1.2μS ;
MOSFET 的 Vgs-th = 1.4V, 电源12V
估算切断时间是 1.2μS * ln (12V/1.4V) = 2.6 μS.
光耦切断延时 3μS,一共5.6μS。
这样比示波器上的1mS 开关时间好不少。
不知电炉丝热电阻是多少?假设是1Ω。切断瞬间,
MOSFET 承受的冲击能量 = 12V * 12V / 1Ω *5.6μS /2 = 403μJ ,小于安全损伤阈值 EAS = 125 mJ .
MOSFET 散热不好时假设可以承受2W 功耗。
则可以接受的周期性开关频率小于:
2W/403μJ /2 = 2.48 kHz.
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