晶圆工艺:
采用2.5代深槽( Deep-Trench )超结工艺 ,更少的光罩层数,生产周期更短,更具成本优势
低内阻:
特殊的超结结构让高压超结MOS内阻在同样面积情况下降低到VDMOS的1/3-1/5
更高效率:
较高的轻载,满载效率,超低的导通内阻,有效的降低导通、开关损耗
低温升:
较低的功耗,有效的降低电源整体的工作温度,延长电源的使用寿命
易用性:
使用过程中简单易用,驱动电流需求小,对新一代高速开关电源提供有力的支持
应用范围广:
适宜于对系统效率有更高要求的照明应用、各类电源、适配器及智能手机、平板电脑充电器中,以及大功率充 电桩, LED电源、通讯、服务器电源等
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