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MOSFET超级结工艺

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forgot|  楼主 | 2024-11-8 08:20 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS, os, FET, MOSFET, 击穿电压
超级结技术是专为配备600V以上击穿电压的高压功率半导体器件开发的，用于改善导通电阻与击穿电压之间的矛盾。采用超级结技术有助于降低导通电阻，并提高MOS管开关速度，基于该技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。

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