“RWW”功能，指的是“Read-While-Write”（读写同时进行）功能。
0、测试现象
同事使用F103xE芯片调试，程序中进行flash擦或写动作。在等待busy过程中，获取的flash_SR有时出错（SR值变成栈地址），以至于在flash_SR状态判断时出错，误判为写保护错误，实际上FLASH_SR状态应是正常。
1、什么是RWW
提到的“RWW”功能，指的是“Read-While-Write”（读写同时进行）功能，这是某些类型的FLASH存储器支持的一种高级特性。具体来说，RWW允许存储器在执行写操作（编程或擦除）的同时，其他部分的数据可以被读取。这种功能对于需要高可靠性和实时性能的应用特别有用，比如嵌入式系统中的固件更新，可以在不中断系统运行的情况下完成。
在具有RWW功能的FLASH存储器中，存储空间通常会被划分为多个独立的区域或者扇区，这样就可以实现对一个区域进行写操作时，不影响对其他区域的读取。这种设计可以提高系统的效率和响应速度，尤其是在需要频繁更新数据的应用场合。
F103xE是具有RWW功能。
2、RWW有什么影响
RWW允许存储器在执行写操作（编程或擦除）的同时，其他部分的数据可以被读取。这种设计当然可以减少FLASH的读写时间，但真的没有隐患吗？一事两面，篇头情况的出现，就是隐患。今天先写这么多，其中原理和如何规避我放下一篇，晚安玛卡巴卡。
|
楼主
标题置顶
标题高亮
