stm32G474的flash模式如何判定？single bank 和dual bank

只看该作者 · 2024-11-11 10:49

请教各位，使用的芯片是stm32g474cbt6，按照手册说法，single bank是单一flash区域，最小擦除是4k，dual bank是支持双flash区域，一边操作不影响另外一块，最小擦除是2k.

手册判定依据：读取flash option register，其中BFB2位是0，表示是单bank模式。

而我这边不管是打印出寄存器状态值，还是用cube工具读出来，都是BFB2为0，DBANK为1。bit22 DBANK 表示单bank和双bank的数据大小。同时我自己实测下来，默认状态的最小擦除是2k，但用hal的api，双bank操作不行，实际应该是单bank，但是single bank的擦除又是2k，和手册的最小4k不一致。。

下图是手册的bank模式的判定寄存器说明和cube工具的读出。

下图是手册说明，bank模式不同，分区和最小擦除单位不同。g474cbt6是3类flash

下图说DBANK是1，表示双bank。

我这边，上电默认 BFB2 是0， DBANK是1，我试了很多次结果一致，同时擦除最小单位2k，擦除用single bank模式可以覆盖全部。我实在有点搞不懂，感觉混在一起了，不知道是不是我理解不对，望各位大佬指点一下

只看该作者 · 2024-11-11 12:12

根据STM32G474的技术手册，Flash模式的判定主要依赖于Flash选项寄存器中的特定位。其中，BFB2位和DBANK位是关键。

只看该作者 · 2024-11-11 17:14

dual bank是支持双flash区域，一边操作不影响另外一块，最小擦除是2k.

只看该作者 · 2024-11-14 22:45

single bank是单一flash区域

只看该作者 · 2025-1-8 22:21

STM32G4系列微控制器（包括STM32G474）的Flash存储器通常采用单bank（Single Bank）或Dual Bank架构。这种架构的选择主要取决于Flash的大小和微控制器的设计

只看该作者 · 2025-1-8 22:29

要确定具体的模式，最可靠的方法是查阅官方文档或数据手册

只看该作者 · 2025-1-9 02:00

查阅官方文档，STMicroelectronics的官方文档会详细说明STM32G474的Flash架构。这些文档通常可以在STMicroelectronics的官方网站上找到

只看该作者 · 2025-1-9 04:00

根据编程接口的描述，也可以推断出Flash的架构。例如，某些特定的函数或寄存器访问方式在单bank和双bank之间是不同的

只看该作者 · 2025-1-9 05:00

在某些情况下，Flash的大小也可以作为判断的依据。例如，较小的Flash可能采用单银行架构，而较大的Flash可能采用双bank或多bank架构以支持更大的存储需求

只看该作者 · 2025-1-9 06:00

单bank是整个Flash存储器作为一个单一的存储块进行访问，编程和读取操作都在整个Flash上进行。双bank是Flash存储器被分为两个独立的块。每个bank可以独立地进行编程和读取操作。这种架构允许在不使用整个Flash的情况下，对其中一个块进行操作，从而提高效率或实现某些特定的功能

只看该作者 · 2025-1-9 08:00

这个模式一般可以通过例程代码能看出来吧

只看该作者 · 2025-1-9 09:00

得看这个芯片是不是支持双bank模式啊，要是不支持，应该就只能是单bank了吧

只看该作者 · 2025-1-9 10:00

一般都是单bank设计，主要是看demo程序如何提供的，而且要跟例程有关系

只看该作者 · 2025-1-9 22:00

在数据手册中，有关Flash存储器部分的描述会明确说明是单bank还是双bank架构