请教各位，使用的芯片是stm32g474cbt6，按照手册说法，single bank是单一flash区域，最小擦除是4k，dual bank是支持双flash区域，一边操作不影响另外一块，最小擦除是2k. 手册判定依据：读取flash option register，其中BFB2位是0，表示是单bank模式。 而我这边不管是打印出寄存器状态值，还是用cube工具读出来，都是BFB2为0，DBANK为1。bit22 DBANK 表示单bank和双bank的数据大小。同时我自己实测下来，默认状态的最小擦除是2k，但用hal的api，双bank操作不行，实际应该是单bank，但是single bank的擦除又是2k，和手册的最小4k不一致。。 下图是手册的bank模式的判定寄存器说明和cube工具的读出。 下图是手册说明，bank模式不同，分区和最小擦除单位不同。g474cbt6是3类flash 下图说DBANK是1，表示双bank。 我这边，上电默认 BFB2 是0， DBANK是1，我试了很多次结果一致，同时擦除最小单位2k，擦除用single bank模式可以覆盖全部。我实在有点搞不懂，感觉混在一起了，不知道是不是我理解不对，望各位大佬指点一下
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