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当电源电压大于PMOS 管的最大栅源电源时，不能直接把栅极拉到地，需要一点特殊的电路来限制栅极驱动电压。有的地方是用电阻分压器做的，比如这种： NPN 三极管导通时，MOS 管栅极电压是两个电阻中间的电压。这种设计最大的缺点就是太慢了，要使MOS 管导通，只能通过电阻缓慢给栅极充电。如果需要更快的开启速度，可以考虑用大伙都知道的射极输出器电路，如下： 栅极驱动电压通过6.8V 稳压管D2 和串联的10k 电阻得到，当下方的NPN 三极管导通时，PNP 三极管Q13 的基极电压大约是30V - 6.8V，以电源正极为参考，就是-6.8V；相应的，MOS 管的栅极电压就是大约-6.1V。如果电源电压范围比较稳定，也可以用电阻分压器替代稳压管。这种电路用射极输出器驱动栅极，MOS 管开启速度显然要快的多；而MOS 管关闭时，只能通过1K 电阻R27 给栅极放电，所以关断速度比较慢。 另外，图中的1K 电阻两端电压是6.1V，那么MOS 管导通后，流过PNP 三极管的常态电流就是6.1mA，而三极管的CE 电压是30 - 6.1 = 23.9V，那么PNP 三极管上的功耗就有大约0.15W，不算很小，需要关注一下发热。开启MOS 管的瞬间电流肯定会大不少，但是时间很短应该没问题。如果想减少PNP 管上的功耗，只能增大放电电阻的阻值，那MOS 关断就更慢了。
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