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CW32L010F8P6深度睡眠模式下的电流消耗测试

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本帖最后由 suncat0504 于 2024-11-16 10:41 编辑

前面测试了在正常工作状态下CW32L010F8P6和CW32F030F8P6的电流消耗对比情况。本次测试将在深度睡眠模式下,两个开发板消耗的电流情况。
CW32L010F8P6的电路图:

CW32F030F8P6的电路图:

依旧选择测量点在CW32L010F8P6开发板的J23处、CW32F030F8P6开发板的J21处,主程序代码修改为配置完系统时钟就立即进入深度睡眠模式,方便直接测量电流。
CW32L010F8P6的主程序代码:
int32_t main(void) {
    SYSCTRL_HSI_Enable(SYSCTRL_HSIOSC_DIV2);
   
    SYSCTRL_GotoDeepSleep();
    while (1) {
    }
}


CW32F030F8P6的主程序代码:
int main(void) {
    RCC_HSI_Enable(RCC_HSIOSC_DIV2);  //配置系统时钟为HSI 24M
                DeepSleepModeTest();   
    while (1) {
    }
}

上一次测试中失误,忘了系统主频对功耗的影响,这次修改为相同的系统主频,均为24MHz(根据注释,没实测,两个开发板均使用16MHz的晶振)。

CW32F030F8P6开发板的电流结果为2.7μA,

而CW32L010F8P6开发板的电流只有0.2μA,这差距十分明显了。

从这两次的测试结果上看,CW32L010F8P6的低功耗特性非常抢眼了。


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认证:大连伊飞特信息技术有限公司软件工程师
简介:本人于1993年毕业于大连理工大学。毕业后从事单片机开发工作5年,之后转入软件开发工作至今。

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