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新手看看怎么用三极管

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sinasun|  楼主 | 2024-11-18 17:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
#申请原创# @21小跑堂
三极管作为开关电路,在电路应用中经常应用。尤其是高频应用中,更加关注三极管的开关速度。这里通过简单的仿真电路,快速识别下,影响三极管的开关速度的因素。
下面的这个电路,相同的输入信号,相同的电源,基级电阻和基电级电阻的选取,保证三极管工作在深度饱和区。新手小白凭感觉分析,在输入信号从高电平变为低电平的过程,由于R1的电阻更小,在关闭的过程,基级的放电电流大,应该是Q1的关闭速度更快。

但根据仿真的结果,尽管R1的放电电流大于R2的放电电流,但是依然是Q2关闭的更快。

这个工作过程,是由于三极管是电流型器件:
在基级充电的过程,由于R1阻值小,所以Q1的基区存贮的电荷就多。
当Q1基区开始放电的时候,由于存储电荷多,放电时间也就长,Q1关闭的慢。
以此类推,对于Q2,尽管R2的阻值大,放电的时候电流小,但是存储的电荷少。
自然Q2在放电的时候,放电时间就端,Q2就关闭的快。
通过这样分析,就能很自然的分析出:
由于R1的阻值大,充电的电流快,那么Q1开启的快。
下图是输入信号从低电平到高电平的变化过程,Q1开启的速度更快。

所以对于同一个电路,相同的基级电阻,电阻阻值越小:
三极管开的快,但是关的慢。
如果设计需求:三极管开的快,关的也快。
那么在三极管开启的时候,需要较大的基级电流,但会在基区存储更多的电荷
在三极管关闭的时候,就需要更大的放电电流通道,来释放存储的电荷。
所以基于在这种设计思路,就需要设计充电通路和放电通路是不同的。
这也就是我们在很多电路看到的:基级电阻并联二极管的做法

新电路的情况下,具有最快的关闭速度,相比之前的关闭速度,足足提高了五倍以上。

新电路的开启速度也快,这是由于新电路的二极管D1,存在反向漏电流。也可以提高三极管基区的存储电荷,加快开启速度。

如果电路中存在负电压,就可以节省二极管,也可以达到关速关闭三极管的效果。
下左图使用正负电压控制三极管Q3,关闭速度更快。
当然由于从负压到正压的时间更长,所以Q3的开启速度相比Q1会稍微慢一些的。

理解了基础原理,在设计复杂的电路中,就可以应对元器件参数是如何选取。
比如TI的应用手册,关于如何设计告诉MOS的驱动电路中。就对下面的两种驱动电路做了说明。

尽管左图更加简洁,但是右图的驱动速度更加快。
不管是专用的驱动芯片,还是使用分立件搭建的电路,右图的MOS驱动电路应用的更加广泛。
从原理上理解了三极管开关过程,真正原因是受到基区电荷的移动速度的制约。然后在具体电路的设计过程,才能选择正确的参数,让电路完成设计需求的。

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