本帖最后由 skyraider 于 2024-11-18 23:16 编辑
断开开关应用中，经常需要给靠近负载侧的大电容充电。然而，常规的MOSFET是不适合限制流进大电容的冲击电流的，这是因为安全工作区和转移特性的限制，比如跨导。
因为漏极电流对门极电压的依赖性，即跨导，非常陡峭，控制MOSFET的冲击电流会变得非常有挑战性。此外，温度系数通常也会对SOA产生影响。因此，限制电流通常变成不可能的任务。MOSFET有2个工作区域，表现在转移特性上的热稳定和热不稳定区域，如图2所示。高正温度系数导致的热不均匀分布或者热失控，工作在热不稳定区域会导致严重的性能衰退。另一方面，即使工作在热稳定区域，芯片的热分布也是均匀的，大电流也会引起高的自发热。由于优化RDS(on)的MOSFET具有高ZTC的特点，几乎不可能令其可靠的工作在线性模式，这使得其不适合许多应用场合。
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