我看芯旺介绍MCU的内嵌可擦写100万次EE？

只看该作者 · 2024-11-26 22:29

我看芯旺介绍MCU的内嵌可擦写100万次EE？这个EE指的是eeprom吗？

只看该作者 · 2024-11-27 09:09

EE即DATA EEPROM，可经受100万次写操作，具体操作参见芯片数据手册

只看该作者 · 2025-2-13 15:00

是的，芯旺微电子（ChipON）的 MCU 中提到的内嵌可擦写 100 万次 EE，通常指的是 EEPROM功能。

只看该作者 · 2025-2-13 19:10

需要注意的是，KF32A151 等 MCU 可能并没有独立的 EEPROM 存储器，而是通过 Flash 模拟 EEPROM 的方式实现的

只看该作者 · 2025-2-13 22:50

EEPROM：支持字节级别的擦写操作。擦写寿命通常为 100 万次。适合存储频繁更新的小数据（如配置参数、校准数据等）

只看该作者 · 2025-2-14 08:26

将 Flash 划分为多个小块（Block），每个块可以独立擦写。

只看该作者 · 2025-2-14 13:12

通过算法将数据分散存储到不同的块中，避免频繁擦写同一区域，从而延长 Flash 的使用寿命。

只看该作者 · 2025-2-14 17:15

一般芯旺这种都会通过软件实现字节级别的读写操作，模拟 EEPROM 的功能。

只看该作者 · 2025-2-14 21:52

根据芯旺微电子的介绍，其 MCU 的 EE 功能具有以下特点：擦写寿命：100 万次。存储容量：根据具体型号不同，EE 的容量可能为几 KB 到几十 KB。低功耗：EE 操作时功耗较低，适合电池供电的应用场景。高可靠性：内置校验机制，确保数据的完整性和可靠性。

只看该作者 · 2025-2-15 09:23

虽然 EE 的擦写寿命为 100 万次，但仍需避免频繁写入同一地址

只看该作者 · 2025-2-15 14:08

建议在写入数据时加入校验机制（如 CRC 校验），以确保数据的完整性。

只看该作者 · 2025-2-15 20:49

在低功耗应用中，尽量减少 EE 操作的频率以降低功耗。