电路如附件所示。
调试时遇到下述问题：
1：C31为1nF时，空载上电，主功率MOS管Q1占空比为3%，L2工作在断续模式，续流MOS管Q9未导通，依靠体二极管导通续流，输入电流约为40mA左右，测试此时的Q9门极驱动电压小于MOS管的开启门限电压；带载20%Io时主功率MOS管Q1占空比为33%；由带载20%Io切换为空载后，输入电流约为240mA，MOS管Q1占空比约为32%，续流MOS管Q9工作在同步导通模式，L2工作在强迫连续模式。
问题1：为什么由带载20%Io切换为空载后，占空比与带载20%Io相比不会发生较大变化？而不是恢复至空载上电时的L2断续模式、MOS管Q1占空比3%的状态，由带载切换为空载时，占空比是怎样调制的？
2：当C31更改为2.2nF时，空载上电，Q9门极电压大于开启门限电压，L2工作在连续模式，空载输入电流约为150mA，在带载20%Io后切换为空载，输入电流仍然为150mA左右，此时MOS管Q1占空比同样约为32%。在更改C31调试过程中，功率MOS管未发生变换。
问题2：在带载20%Io后切换为空载的同样？
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