本帖最后由 IFXJone 于 2024-12-4 11:21 编辑
英飞凌的第四代Psoc4产品可以使用Ctank电容来增加Shield的驱动能力。
当屏蔽电极启用时，并且仅当屏蔽层无法被驱动时（也就是shield的寄生电容很大无法被驱动），才建议使用shield tank电容（一般shield电极的寄生电容大于100pF则建议使能Ctank）。它的作用是增加了屏蔽的驱动强度，使屏蔽信号更快地稳定到传感器电压。Ctank的建议值为10nF/5V/X7R或NP0电容器如何使能Ctank：必须先使能shield电极，然后使能Ctank，最后选择Cshield tank电容和shield电极的引脚（注意：如果同时使用了CSD和CSX，则Ctank电容因为Pin脚不够不能被使能）
但如果增加Ctank电容值：只要Ctank值可以完全对Cp（屏蔽）进行充电和放电，增加Ctank数值不会改变接近感测距离。如果降低Ctank电容值：如果Ctank上限值降低，电容器无法对Cp（屏蔽）进行完全充电和放电，则接近距离会减小，因为会感应出更多的噪声，信号强度也会降低。
例如，如果一个10 nF的Ctank电容器可以对Cp（屏蔽）进行完全充电和放电，那么增加Ctank值并不能改善接近感测距离。然而，减小Ctank值会减小接近感测距离。
注意 ：CTANK（Csh_tank）电容器不适用于英飞凌的第五代CAPSENSE™设备，如PSoC™4-HVMS和PSoC™。因为英飞凌的第五代CAPSENSE™架构通过其新的屏蔽技术支持高达约1.2 nF的屏蔽电容，所以不需要CTANK电容器。
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