本帖最后由 STM新闻官 于 2024-12-4 15:58 编辑
该问题由某客户提出，发生在STM32F407IGT6 器件上。据其工程师讲述：在其产品设计中使用了STM32 的以太网接口进行通信。在软件最初的调试中，该接口工作正常。后来为了满足软件对内存容量的需求，启用了STM32 的CCM 存贮器，但启用后发现以太网接口不能通信。
使用 CCM 导致以太网通信失败 (1).pdf
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该问题由某客户提出，发生在 STM32F103VDT6 器件上。据其工程师讲述：在该公司的某型号产品的设 计中用到了 STM32F103VDT6 器件，而其软件的设计采用了 IAP+APP 的架构。IAP 是一段 BOOT 程序， 负责对硬件进行初始化以及在接到相关指令的情况下更新 APP 程序，而 APP 程序则负责对常规业务 处理。在 STM32 启动后，IAP 首先运行。在初始化硬件之后，检查是否有更新 APP 的指令，如果 有，则更新 APP，如果没有，则跳转到 APP。
SRAM 中的数据丢失.pdf
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该问题由某客户提出，发生在 STM32F407IGT6 器件上。据其工程师讲述：为了满足软件对大容量内存的需求，将软件中的部变量从内部 SRAM 转移到片外的 SRAM当中。而这一改变，导致该软件不能运行，每次复位后，随即便发生死机。在此之前，对 FSMC 的初化代码，以及片外 SRAM 的读写匀做过测试，并确认是没有问题的。
使用外部 SRAM 导致死机.pdf
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该问题由某客户提出，发生在 STM32F103VBT6 器件上。据其工程师讲述：其产品中使用了 STM32，已批量生产。其部分产品在交予客户使用一段时间之后出现故障。其工程师在对故障产品进行分析时发现，STM32 的 Flash 中部分数据丢失，原数据皆被0xFF 取代。丢失数据的 Flash 区间的地址不固定，大小也不固定，呈一定随机性。该现象只在车载环境下发生，而在实验室无法复现。
干扰环境下 Flash 数据丢失.pdf
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有时候我们需要将一部分程序从FLASH拷贝到RAM中运行，以提高程序运行的速度。本文基于IAR Embedded Workbench列出了一些方法，可以在系统启动时自动从FLASH中将这部分程序拷贝到RAM中运行。本文中所有例子都是在IAR v7.2下，基于STM32F334完成的。
IAR下如何让程序在RAM中运行.pdf
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嵌入式设计中使用RTOS必然会带来额外的RAM消耗，然而许多初次接触RTOS的工程师并不清楚如何评估RAM的消耗量。这篇文档以FreeRTOS为例，介绍评估RAM使用情况的一般方法，并给出在FreeRTOS下优化RAM使用的方法，也由衷的期望读者在使用其他RTOS时，可以通过相似的思路来解决问题。
FreeRTOS RAM使用情况及优化方法.pdf
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该问题客户提出，发生在STM32F103VDT6 器件上。据其工程师讲述：在其产品设计中，使用了STM32 片上Flash 模拟了一个EEPROM 的功能，用于存贮数据。在软件调试时，发现开启此功能，会影响到USART 通信，导致偶尔发生个别数据接收不到的现象。
对Flash 操作导致USART 接收丢数据 (1).pdf
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客户反映使用外扩SDRAM运行程序（使用链接器将code存放在SDRAM中，与编译器无关，采用GCC或者IAR都有这个问题）出错，Hard Fault发生。
STM32F429使用外扩SDRAM运行程序的方法.pdf
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某客户工程师在其产品的设计中，使用了 STM32L152RBT6。该工程师打算在烧写程序之前，往 STM32L100 里边的 EEPROM 预置一些数据，没想到什么好的办法。他在网上搜了一下其他人的做法，发现大家基本上都是使用程序代码的方式，在第一次运行程序的时候，使用程序对 EEPROM 进行编程达到预置的目的。他觉得这不是最适合他的方法，于是请教是否还有其他更方便的方法。
使用STVP实现对STM32L1系列EEPROM预置数据.pdf
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当客户遇到存储小量的数据，同时数据写的频率比较低的情况下。从成本角度希望省掉外置 EEPROM， STM32 提供了 Backup SRAM(4K)和 Flash 模拟 EEPROM 两种方案来解决该问题。但是，Backup SRAM 需要提供备用电源，Flash 模拟 EEPROM 又比较浪费空间（存放复杂的结构体数据也不方便）。 如果数据擦写频率较低（Flash 擦写次数有限），可以考虑直接将数据存放在 Flash 中。本文提供了如 何在 IAR6.5 实现该操作。
在IAR 6.5下如何把数据放在Flash指定位置.pdf
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STM32存储器实战经验合集-1 |
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