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[MOTIX™ MCU]

TLE9877使用EEPROM完成数据读写

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楼主
zh123zh|  楼主 | 2024-12-6 11:22 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
EEPROM, TLE9877, 读写, 使用
本帖最后由 zh123zh 于 2024-12-6 13:09 编辑

我目前在使用TLE9877芯片的Flash内的EEPROM空间完成数据读写功能，地址范围为0x1100F000~0X1100FFFF，共4k占据一个扇区。
遇到的问题是：
1、EEPROM只能是按页写入，是一次至少写入一页的内容吗？能不能跨页写入呢？
2、设计了一次单独写入一个字节的函数，但是内部还是通过数据的方式调用ProgramPage()函数写入一页的内容，而且如果不从一页的起始地址开始写入，那么起始地址开始自动填充0xFF直到该页写入数据的地址，那么是必须要从首地址开始写入数据吗？
3、单字节写入设计，而不是向新地址写入时都将数组的数据全部写入。
4、数据读取也是一次只能读取一页的数据吗？能不能跨页读取呢？
5、有没有推荐的数据写入读取的校验函数设计呢？

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沙发
suncat0504| | 2024-12-10 21:59 | 只看该作者
好像一次不能跨页读写，这个应该是内部构造决定的。我记得应该可以按照单元写的。如果一次性写入的数据很少的话，不妨按照单元方式写。

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板凳
suncat0504| | 2024-12-10 22:00 | 只看该作者
即使是U盘这样的介质，也有固定单元大小，比如512字节。如果不足，一样会有浪费。

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地板
nuan11nuan| | 2025-1-24 12:19 | 只看该作者
EEPROM通常是按页写入的，这意味着你一次至少需要写入一页的内容。跨页写入通常是不支持的，因为EEPROM的物理结构决定了它必须以页为单位进行写入操作。如果你尝试跨页写入，可能会导致数据损坏或写入失败。

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5楼
清芯芯清| | 2025-1-24 13:22 | 只看该作者
你提到的单字节写入函数内部调用ProgramPage()函数写入一页的内容，这是正确的。EEPROM的写入机制要求你从页的起始地址开始写入数据。如果你不从页的起始地址开始写入，那么从起始地址到你实际写入数据的地址之间的部分会自动填充为0xFF。

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6楼
twinkhahale| | 2025-1-24 14:29 | 只看该作者
为了确保数据的正确性和完整性，建议你从页的起始地址开始写入数据。

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7楼
pe66ak| | 2025-1-24 15:47 | 只看该作者
每次写入一个字节时，实际上是在写入一页数据。因此，你需要确保在写入之前，先将该页的其他数据读取出来，然后与新数据合并，再写入整个页

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8楼
suiziq| | 2025-1-24 17:02 | 只看该作者
数据读取通常是可以跨页读取的。你可以从任意地址开始读取任意长度的数据，而不受页大小的限制。读取操作不会像写入操作那样受到页边界的限制

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9楼
ewyu| | 2025-1-24 18:25 | 只看该作者
为了确保数据写入和读取的正确性，推荐使用CRC校验，使用循环冗余校验（CRC）算法对写入和读取的数据进行校验。CRC是一种常用的错误检测码，能够有效地检测数据传输或存储过程中的错误

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10楼
地瓜patch| | 2025-1-24 19:44 | 只看该作者
按页的话还是flash，eep是字节访问最小单元

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11楼
地瓜patch| | 2025-1-24 19:48 | 只看该作者
nuan11nuan 发表于 2025-1-24 12:19
EEPROM通常是按页写入的，这意味着你一次至少需要写入一页的内容。跨页写入通常是不支持的，因为EEPROM的物 ...

按页写入就不是eeprom啊

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12楼
miltk| | 2025-1-24 20:11 | 只看该作者
计算数据的校验和，并在写入时将校验和一并存储。读取时重新计算校验和并与存储的校验和进行比较，以确保数据的完整性

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13楼
hhdhy| | 2025-1-25 10:05 | 只看该作者
如果芯片支持，可以使用ECC来检测和纠正数据中的错误。

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14楼
wamed| | 2025-1-25 11:23 | 只看该作者
在使用时，你可以在写入数据前计算CRC，并将CRC值一并写入EEPROM。读取数据时，重新计算CRC并与存储的CRC值进行比较，以确保数据的正确性

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15楼
tiakon| | 2025-1-25 14:09 | 只看该作者
读数据也不可以夸页读取的，一般是不支持

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16楼
AdaMaYun| | 2025-1-26 10:29 | 只看该作者
TLE9877芯片的Flash内的EEPROM空间完成数据读写功能

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