请教一下关于MOS管搭的功率IO的电路，谢谢

登录 · 发表于 2012-5-31 18:42

小弟最近设计的一个电路中的一小部分在面包板上做实验验证的时候发现根本不是我想的那回事，求各位大哥帮忙看看，谢谢

上图中的电路我的设想是在光耦输入端给个小电平，通过光耦隔离后打开MOS管，使得POWER_IO点上能瞬间有个与V+同幅值的电压，我想达到个功率IO的作用。

做试验时，无论光耦输入端給何种电平，POWER_IO点均测不到V+（28V），后来去掉光耦，直接在MOS管的G级上加电压，输出反而是个线性的电压变化，G级输入5V时，S级量到的是7V。
小弟是不是思路错了，各位给我个指点吧，给个成熟的电路图也行啊，用图中那种MOS管该怎么搭。

发表于 2012-5-31 19:52

本帖最后由 xmar 于 2012-5-31 19:55 编辑

NMOS共漏电路的特点与NPN三极管共集电极电路（射随器）类似。楼主看到的现象正常。建议你去看看最基本的电路基础再说。

发表于 2012-5-31 20:23

“G级输入5V时，S级量到的是7V。”

这是N沟吗？

发表于 2012-6-1 11:02

估计是NMOS振荡啦，所以S级量到是7V,如果用示波器看波形，就知道啦

发表于 2013-7-9 11:32

楼主注意看资料GS的值。可以把R12放在电源和漏极之间试试

发表于 2013-7-9 11:40

呵呵！
MOS管怎么用，LZ没有搞清楚，这些基础东西看看教科书好了。

发表于 2013-7-24 11:23

NMOS这么驱动，不行啊~

请教一下关于MOS管搭的功率IO的电路，谢谢

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