4级读保护等级设置

发表于 2024-12-10 08:25

FLASH 存储器擦写以及读保护：通过寄存器进行FLASH存储器的擦写保护，通过 ISP 指令进行 4 级读保护等级设置。

‒ LEVEL0
无读保护，可通过 SWD 或者 ISP 方式对 FLASH 进行读取操作。
‒ LEVEL1
FLASH 读保护，不可通过 SWD 或 ISP 方式读取。可通过 ISP 或者 SWD 接口降低保护等级到LEVEL0，降级后 FLASH 处于整片擦除状态。
‒ LEVEL2
FLASH 读保护，不可通过 SWD 或 ISP 方式读取。可通过 ISP 接口降低保护等级到 LEVEL0，降级后FLASH 处于整片擦除状态。
‒ LEVEL3
FLASH 读保护，不可通过 SWD 或 ISP 方式读取。不支持任何方式的保护等级降级。

发表于 2024-12-12 09:13

芯源MCU可以通过 ISP 指令进行 4 级读保护等级设置

发表于 2024-12-19 16:25

其实一般就1-2级优化，太高可也出问题的

发表于 2025-1-4 14:47

LEVEL3是最高级别的读保护，一旦设置，无法通过任何方式降级

发表于 2025-1-5 17:28

在LEVEL0级别下，没有任何读保护措施，用户可以通过SWD或ISP方式自由地对FLASH进行读取操作

发表于 2025-1-5 19:11

在LEVEL0状态下，如果设备落入不当之手，内部存储的程序代码可以被轻易地读取出来，存在被复制或篡改的风险。因此，这一级别通常不推荐用于产品发布前的最终固件状态

发表于 2025-1-5 21:01

在LEVEL2级别，不仅禁止了通过SWD或ISP方式读取FLASH，而且还禁止了从RAM启动，增强了安全性

发表于 2025-1-5 22:49

LEVEL1级别提供了基本的读保护，禁止通过调试接口如SWD或ISP直接读取FLASH内容

发表于 2025-1-6 10:31

可以通过ISP或SWD接口将保护等级从LEVEL1降级到LEVEL0，以便进行必要的读取操作

发表于 2025-1-8 21:16

一般默认优化等级

发表于 2025-1-22 11:05

基本上优化等级都保持默认就可以

发表于 2025-1-23 18:44

基本上都是默认参数

[开发资料] 4级读保护等级设置

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