内部Flash构成了解：
对于stm32f103zet6来说，由三部分组成：主存储器，信息块，闪存存储器接口寄存器。
主存储器：用来存储代码和数据常数
其地址范围为0x0800 0000~0x0807 ffff,分为256页，每页2KB(小中容量每页为1KB），BOOT0接地，系统将从0x0800 0000地址处开始读取代码（从主存储器启动）。存储器映像如图
信息块：系统存储（启动程序代码）和选项字节（用户选择字节）
系统存储大小为2KB，用来存储ST自带的启动程序，用来串口下载代码，选项字节为16B，一般用于设置内存的读保护和写保护。当BOOT0接VCC，BOOT1接GND（串口下载程序），系统运行的就是这部分
闪存存储器接口寄存器：
用于控制闪存读写等，是闪存模块的控制结构
FPEC 键寄存器（FLASH_KEYR）：
用来解锁 FPEC，必须在该寄存器写入特定的序列（KEY1 和 KEY2）解锁后，才能对 FLASH_CR 寄存器进行写操作。
闪存控制寄存器（FLASH_CR）：
LOCK位：用于查看 FLASH_CR 寄存器是否被锁住，该位在检测到正确的解锁序列
后，硬件将其清零。
STRT 位：用于开始一次擦除操作，在该位写入 1，将执行一次擦除操作。
PER 位：用于选择页擦除操作，页擦除时将该位置 1
PG 位：用于选择编程操作，往 FLASH 写数据时该位置 1
闪存状态寄存器（FLASH_SR）：
用来指示当前 FPEC 的操作编程状态，常看的是BSY位
闪存地址寄存器（FLASH_AR）：
FLASH读写过程：
涉及读操作，写操作，擦除操作。FLASH物理特性：只能写0，不能写1，写1靠擦除
闪存的读取：
直接通过通用地址空间直接寻址即可。CPU通过ICode指令总线访问FLASH指令，通过DCode数据总线访问FLASH数据，但因为CPU运行速度比Flash快的多，FLASH<=24M，所以需加入等待时间。正确设置好等待周期后，利用指针读取数据。将addr强制转换为uintx_t指针，然后取该指针所指向地址的值，即可获得addr地址的数据。但需注意在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。
闪存的写入：
闪存编程由FPEC（闪存编程和擦除控制器）模块处理。
写操作有四步：解锁-擦除-写数据-上锁
解锁：将两个特定的解锁序列号key1和key2依次写入FLASH_KEYR键值寄存器中
擦除:分页擦除和批量擦除
闪存的擦除：读FLASH_CR的LOCK位，为1就解锁，设置FLASH_CR的PER位为1配置页擦除，设置FLASH_AR指定擦除地址，设置FLASH_CR的STRT位为1开始擦除，通过SR的BSY位去查询是否擦除完毕
写数据：擦除完成，可以向FALSH写数据，每次只能以16位方式写入数据（半字写入）
上锁：写入数据完成，设置FLASH_CR[LOCK]位1，重新上锁，以防数据不小心被修改。
FLASH的HAL库驱动：
1. FLASH解锁
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void);
2.FLASH上锁
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock (void);
3FLASH写入
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address,
uint64_t Data);
4FLASH擦除
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit,
uint32_t *SectorError);
5等待FALSH操作完成（读SR）
HAL_StatusTypeDef FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);
程序设计：
头文件：
//FLASH容量
#define STM32_FLASH_SIZE 512//单位为K
//FLASH起始地址
#define STM32_FLASH_BASE 0x08000000
//页大小
#define STM_SECTOR_SIZE 2048
C文件：
FLASH读：
uint16_t STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//FLASH读写操作页缓存空间，2K
//FLASH读一个半字数据 字是32位，半字是16位
uint16_t STMFLASH_ReadHalfWord(uint32_t faddr)
{
return *(uint16_t*)faddr;//利用指针直接读取返回
}
//FLASH读(多个半字数据)，
void STMFLASH_Read(uint32_t ReadAddr,uint16_t *PDataBuf,uint16_t Num)//参数，读取起始地址，数据指针，读取半字数
{
uint16_t i;
for(i=0;i<Num;i++)
{
PDataBuf = STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);
ReadAddr+=2;
}
}
FLASH写：
//FLASH写，不检查写入
void STMFLASH_Write_NoCheck(uint32_t WriteAddr,uint16_t *PDataBuf,uint16_t Num)
{
uint16_t i;
for(i=0;i<Num;i++)
{
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD,WriteAddr,PDataBuf);
WriteAddr+=2;
}
}
//FLASH写
void STMFLASH_Write(uint32_t WriteAddr,uint16_t *PDataBuf,uint16_t Num)
{
uint32_t offset;//实际偏移地址
uint8_t sectornum;//扇区编号
uint16_t secoff;//扇区内偏移地址(16位字计算)
uint16_t secremain;//扇区剩余空间(16位字计算)
uint16_t i;
//地址校验
if((WriteAddr<STM32_FLASH_BASE)||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+STM32_FLASH_SIZE*1024))) return ;//非法地址
//解锁
HAL_FLASH_Unlock();
offset=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;
sectornum=WriteAddr/STM_SECTOR_SIZE;
secoff=(WriteAddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;//(2个字节为基本单位)
secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;//(2个字节为基本单位)
if(Num<=secremain)secremain=Num;//不大于该扇区范围
while(1)
{
//读取该扇区内容，检验数据看是否需要擦除
STMFLASH_Read(STM32_FLASH_BASE+sectornum*STM_SECTOR_SIZE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);
for(i=0;i<secremain;i++)
{
if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;
}
if(i<secremain)//需要擦除
{
FLASH_PageErase(STM32_FLASH_BASE+sectornum*STM_SECTOR_SIZE);
FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
for(i=0;i<secremain;i++)
{
STMFLASH_BUF[secoff+i]=PDataBuf;
}
STMFLASH_Write_NoCheck(STM32_FLASH_BASE+sectornum*STM_SECTOR_SIZE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区
}
else
{
FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,PDataBuf,secremain);//写入扇区剩余区间
}
if(secremain==Num) break;//写入结束
else//写入未结束
{
sectornum++;
secoff=0;
WriteAddr+=secremain*2;
PDataBuf+=secremain;
Num-=secremain;
if(Num>STM_SECTOR_SIZE/2)
secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;
else
secremain=Num;
}
};
//上锁
HAL_FLASH_Lock();
}
注意思考一下Buf作用和写入结束条件设置，以及跨扇区后的处理即可呢，还有地址分析。
主函数测试：
void SystemClock_Config(void);
const uint8_t TEXT_Buffer[]={"STM32F103 FLASH TEST"};
#define SIZE sizeof(TEXT_Buffer) //数组长度
#define FLASH_SAVE_ADDR 0X08070000 //设置FLASH 保存地址(必须为偶数，且其值要大于本代码所占用FLASH的大小+0X08000000)
int main(void)
{
uint8_t i ;
uint8_t datatemp[SIZE];
HAL_Init();
SystemClock_Config();
Delay_init();
Led_Init();
UART_Init();
Lcd_Init();
LOG_INFO(Terminal0,"Chipid:%x", lcd_paramter.id);
STMFLASH_Write(FLASH_SAVE_ADDR,(uint16_t*)TEXT_Buffer,SIZE);
STMFLASH_Read(FLASH_SAVE_ADDR,(uint16_t*)datatemp,SIZE);
LCD_ShowString(30,190,datatemp,16);//显示读到的字符串
while (1)
{
HAL_GPIO_TogglePin(Led_DS1_GPIO_Port,Led_DS1_Pin);
delay_ms(500);
}
}
测试成功,屏幕正确显示了写入的字符，就不放图了。
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