ST 在碳化硅技术中的优势
碳化硅是一种具有宽禁带特性的半导体材料,相比传统硅材料,SiC 能在更高的温度、更高的电压和更高的频率下工作,具有更低的导通损耗和开关损耗。因此,SiC 器件广泛应用于电动汽车、光伏、风能、工业电源和电力电子等领域,特别是在高功率、高效能的场景下。
高性能的 SiC 功率器件
ST 在碳化硅技术方面的核心优势在于其 SiC MOSFET 和 SiC 二极管 的技术领先性。ST 提供的 SiC 功率器件相较于传统硅材料,能够提供更高的工作频率、更高的电压耐受能力和更低的损耗,特别是在高电压应用中。
高温性能:ST 的 SiC 器件能够在更高的温度下工作,适合用于严苛的环境,最大工作温度通常可达到 175°C。
高电压处理能力:ST 的 SiC MOSFET 和 SiC 二极管 能够支持高达 1700V 的电压,适合高功率电源和工业驱动系统。
低导通损耗和开关损耗:SiC 器件的 导通电阻低,开关损耗小,这意味着它们可以实现更高的效率,降低系统的能耗。
|