[i=s] 本帖最后由 小叶三千 于 2024-12-13 10:44 编辑 [/i]<br />
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拿到雅特力的开发板，申请的是AT32L021，是一款低功耗的MCU芯片，一直想尝试一下低功耗的MCU，借此机会，使用AT32L021C8T6，进行一些测试工作。
首先肯定是对低功耗的MCU的电流测试了，毕竟是低功耗的MCU，电流功耗这块应该是主要的方向。
根据开发板手册，不难发现开发板上预留了测试MCU电流的引脚接口，就是JP3和R13，把R13的0Ω电阻拆掉，JP3排针焊上排针，就可以使用电流表在JP3串联进去，测试电流了。(使用开发板默认1.8V供电工况)
一.软件、硬件准备
使用外部的8M晶振，移植了RTOS的RT-Thread Nano系统。RT-Thread Nano是一个精炼的硬实时内核，支持多任务处理、软件定时器、信号量、邮箱和实时调度等相对完整的实时操作系统特性，内核占用的ROM仅为2.5KB，RAM为1KB，所以在AT32L021C8T7上完全可以使用。
硬件测试样板为：雅特力AT32L021C8T7
硬件电流测试设备为：福禄克万用表15B+
二.外部晶振使用RTOS
1.外部晶振-正常模式(使用开发板默认1.8V供电工况)
使用外部的8M晶振，创建LED任务，每1秒闪烁一次，测试其电流为6.9mA，此时还属于正常功耗，比较大
2.外部晶振-sleep模式(使用开发板默认1.8V供电工况)
使用外部的8M晶振，使其进入sleep睡眠模式，测试其电流4mA，基本比正常的减了差不多1半
3.外部晶振-Deepsleep模式(使用开发板默认1.8V供电工况)
使用外部的8M晶振，使其进入Deepsleep睡眠模式，手册上说明此模式是深度睡眠，测试其电流7.9uA，这时就已经很小了，很低的功耗
4.外部晶振-Standby模式(使用开发板默认1.8V供电工况)
使用外部的8M晶振，使其进入Standby模式，测试其电流0.7uA，还不足1uA，真正的低功耗，约等于0功耗了，使用电池首选，类似于关机
未完待续，接下来进行使用内部晶振的电流测试情况 | 
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