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掉电测试时Flash ROM中的ME数据丢失原因求助大佬!

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yuanfff|  楼主 | 2024-12-24 15:20 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
电路如图,进行“上电12s,断电20s"的测试,机子概率出现不开机,原因为ROM中的ME被擦除。目前验证到,将D29二极管换成0R电阻后,未出现丢失情况,但是模拟二极管压降,在1.4V时极大概率不开机,增大电压恢复正常开机。然后接回二极管,降低输入电压为1.6V,出现了不开机,但是ME数据只是部分被修改,没有出现擦除。请求大佬帮忙分析一下可能原因,提供一些验证思路!不胜感激!

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沙发
yuanfff|  楼主 | 2024-12-24 15:21 | 只看该作者
跪求大佬解惑!!!

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板凳
一事无成就是我| | 2024-12-24 16:27 | 只看该作者
增加单片机的低压复位功能,没有就外加,这个是典型的掉电或者上电不稳定期误写,以前只有操作内置flash经常出现,还真木有遇到片外电出现这个问题。

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