掉电测试时Flash ROM中的ME数据丢失原因求助大佬!

登录 · 发表于 2024-12-24 15:20

电路如图，进行“上电12s，断电20s"的测试，机子概率出现不开机，原因为ROM中的ME被擦除。目前验证到，将D29二极管换成0R电阻后，未出现丢失情况，但是模拟二极管压降，在1.4V时极大概率不开机，增大电压恢复正常开机。然后接回二极管，降低输入电压为1.6V，出现了不开机，但是ME数据只是部分被修改，没有出现擦除。请求大佬帮忙分析一下可能原因，提供一些验证思路！不胜感激!

发表于 2024-12-24 15:21

跪求大佬解惑！！！

发表于 2024-12-24 16:27

增加单片机的低压复位功能，没有就外加，这个是典型的掉电或者上电不稳定期误写，以前只有操作内置flash经常出现，还真木有遇到片外电出现这个问题。

[技术讨论] 掉电测试时Flash ROM中的ME数据丢失原因求助大佬!

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