本帖最后由 zhao133 于 2024-12-25 17:10 编辑
前面以Geehy的gate driver GHD3440为例，介绍了耐压和工作电压使用注意事项，我们设计注意到这个细节，至少能保证gate driver芯片不损坏，但是产品是否设计最优，还有一些参数需要关注的，比如整个板子的功耗，效率等问题。今天接着上次的主题把如何把gate driver芯片性能发挥出来。
首先我们要理解我们使用gate driver的目的：MCU发出的PWM信号通过gate driver 实现电平转换，实现驱动MOSFET。MCU信号能否直接驱动MOSFET呢？好多年前，大部分的MOSFET的门极驱动电压要大于4.5V才能驱动正常工作，那么问题来了，当我的MCU输出的PWM高电平只有3.3V，MOSFET会怎样呢？这时候MOSFET处于线性工作区，MOSFET发热量较大（这种工作在线性区的MOSFET在功放上应用较多，一般功放都会背着一个大散热器就是为了给MOSFET散热）。如下图，这个是我前端时间测试的gate driver输入输出的示波器捕捉图
通过上图可以看出，信号传输存在延迟，PWM开通的时候有延迟，关断的时候也存在延迟。另外还有一个比较重要的参数就是gate driver输出的上升沿和下降沿，我们可以在gate driver输出串联门极驱动电阻和并联二极管实现加快开启和关断的速度，串联的电阻不能太大，门极驱动电阻过大会影响开启和关断速度，门极驱动电阻过小会可能会产生过充。关于这个需要根据各个厂家的gate driver的特性来优化。通过一系列的硬件优化最终也是为了不要让MOSFET工作在线性区和减小PMW通断产生的振铃和电压过充。
GHD3440本身具有内置死区，关于这个我们可以这么理解，当我们软件设置的死区时间小于芯片内置死区时间时，按照芯片内置死区时间执行，当软件设置的死区大于芯片内置死区时间时，按照软件设置死区时间执行。死区在电机控制里作用是防止上下管直通，当工作进入到死区之后，这时候电机不受控制的，我们软件需估算死区之后电机的工作状态，然后对电机进行控制，可以这么理解：死区时间小，电机的波形会更好一些。
这次的分享也到这里，如果有遗漏或者错误的，欢迎指出，大家共同学习。
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