本帖最后由 zhao133 于 2024-12-26 19:13 编辑
在新能源BMS保护板上我们接触较多的是低边控制，即控制电池组负极，那么为什么这种应用或产品比较多呢？原因有几方面：1、N沟道的MOSFET过电流能力远大于P沟道的MOSFET；2、采用N沟道MOSFET控制电池正极通断需要采用电荷泵把电压升高至可让MOSFET正常通断控制。问题来了，我们常见的gate driver不是可以控制上桥臂的N沟道MOSFET导通吗，我们能否使用gate driver在新能源BMS上控制电池组正极的N沟道MOSFET通断呢？ 关于gate driver的用法有很多人都忽略了规格书里面的一个小细节。如果我们只用于电平转换，gate driver接收MCU的PWM输入信号，然后输出PWM驱动N沟道MOSFET的应用中，芯片的工作电压、耐压及逻辑电平就够用了。
如果我们仔细阅读芯片的内部结构可以发现gate driver上桥臂需PWM输入才能正常通断，如果我们的MCU持续输出高电平给gate driver，这时driver上桥臂未必能正常开启。
因此，如果我们在新能源BMS实现正极N沟道MOSFET正常通断控制需采用电荷泵，不能采用gate driver。
关于gate driver的使用分享就到这里，这也是我个人对gate driver的理解和认知，如有错误欢迎指出纠正！
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