本帖最后由 WCHTech2 于 2024-12-27 16:14 编辑
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引言
更适于电机应用的青稞RISC-V内核搭配自研高压功率技术，芯片内置高压LDO，双N、N+P预驱，融合Type-C PD等专业接口技术，多协议聚合。CH32M等全栈MCU，提供更优化的引脚布局与资源配置，外围精简，成本更省；完善的调试工具和专业免费IDE MRS，开发周期更短。
基于自研高压功率技术，不但在MCU中集成预驱，还提供内置LDO的独立预驱芯片，方案组合更灵活，设计验证更高效，成本更省。 CH282：带LDO的24V三相P+N管栅极驱动芯片 CH283：带LDO的48V三相双N管栅极驱动芯片 CH280：300V单半桥双N管栅极驱动芯片
产品优势 支持BLDC/PMSM、有感/无感、单/双电阻等多种控制方案
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