[电路/定理] 为什么MOS管做防倒灌和设想的不一样呢?

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 楼主| chineseboyzxy 发表于 2025-1-2 16:34 | 显示全部楼层 |阅读模式
PMOS做防倒灌,用NMOS控制其栅极,V是12V,L是负载端,空载,结果上图接法直接导通了,非要按下图把N管栅极单独分离,P管的D极才没有电。V端电压调成5V也不行,不知道什么原因,哪位高手请指点一下。下图栅极分开后量P管D极也才3mV,怎么会使N管导通呢?P管是MDD2301,N管是2N7002K。






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xch
@chineseboyzxy :SMART DIODE,没有压降的还没出世  发表于 2025-1-14 10:26
R20并一个电容即可,开机时刻暂态进入正反馈。  发表于 2025-1-14 09:12
@xch :管压降。  发表于 2025-1-14 08:51
xch
用一只二极管就解决了  发表于 2025-1-13 16:25
qinlu123 发表于 2025-1-6 10:47 | 显示全部楼层
你是希望当L电压比V高的时候Q3打开,反之Q3关断吗?你测试的时候L端是完全悬空吗连个下拉电阻都没有?
qinlu123 发表于 2025-1-6 11:12 | 显示全部楼层
这是个正反馈电路,但凡有一点电从V漏到L来就会越漏越大最终完全导通。仿真结果也是这样除非L端没电的时候直接接地。
 楼主| chineseboyzxy 发表于 2025-1-6 20:52 | 显示全部楼层
qinlu123 发表于 2025-1-6 11:12
这是个正反馈电路,但凡有一点电从V漏到L来就会越漏越大最终完全导通。仿真结果也是这样除非L端没电的时候 ...

试过L端51K电阻对地也不行,V端别说12V了,5V都直接导通了。只能把N管栅极分离开单独控制了。
xmar 发表于 2025-1-7 10:52 | 显示全部楼层
电路改一下:

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qinlu123 发表于 2025-1-7 11:27 | 显示全部楼层

楼主应该不是这个意思吧,我猜楼主的意思是当L端有电的时候电可以从L流向V,当L端电源撤掉后开关关闭V端电流流不下来。
coody 发表于 2025-1-10 10:17 | 显示全部楼层
本帖最后由 coody 于 2025-1-10 10:18 编辑

你在Q4的G、S并一个10K下拉电阻试试。要对MOSFET有基本的了解哦,否则用不好也用不对。
 楼主| chineseboyzxy 发表于 2025-1-10 13:14 | 显示全部楼层
coody 发表于 2025-1-10 10:17
你在Q4的G、S并一个10K下拉电阻试试。要对MOSFET有基本的了解哦,否则用不好也用不对。 ...

试过了,4.7K下拉,也不行。看来是栅极必须要独立控制了。这个思路是行不通了。
 楼主| chineseboyzxy 发表于 2025-1-10 13:15 | 显示全部楼层
qinlu123 发表于 2025-1-7 11:27
楼主应该不是这个意思吧,我猜楼主的意思是当L端有电的时候电可以从L流向V,当L端电源撤掉后开关关闭V端 ...

您猜的非常对!V端12V,L端平时没电,工作时5V,但是在工作前12V是要先撤掉的。
gaohq 发表于 2025-1-21 21:54 | 显示全部楼层
P管的Coss导致的
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