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国产SiC碳化硅功率器件34mm SiC MOSFET半桥模块产品介绍

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yangqiansic|  楼主 | 2025-1-12 18:48 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
FET, MOS, MOSFET, ic, os
国产SiC碳化硅功率器件34mm SiC MOSFET半桥模块产品介绍.pdf (1.54 MB)

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yangqiansic 2025-1-12 18:58 回复TA
IGBT芯片技术不断发展，但是从一代芯片到下一代芯片获得的改进幅度越来越小。这表明IGBT每一代新芯片都越来越接近材料本身的物理极限。SiC MOSFET宽禁带半导体提供了实现半导体总功率损耗的显著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低开关损耗，从而提高开关频率。进一步的，可以优化滤波器组件，相应的损耗会下降，从而全面减少系统损耗。通过采用低电感SiC MOSFET功率... 

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