NMOS过流保护

只看该作者 · 2025-1-15 09:51

如图，想设计一个过流保护电路，R12是检测电阻，检测电阻*电流产生的电压大于NPN管be两端的电压，导通以后拉低MOS的栅极电压从而关断MOS管，但是实际仿真断开连接MOS栅极那条线，NPN显示导通了，但是连接上以后MOS的栅极电压是3.6V，MOS管仍然导通，这个3.6V的电压是怎么产生的，NPN导通以后应该直接接地了，为什么还有3.6V的电压，去掉了C6、C7、R10、R11仍然是这种现象，想问一下这种是什么情况

后面改成这样，仿真出来M1栅极还是有电压，M1无法关断，这种是怎么回事，就像通过三极管导通拉低NMOS的栅极电压但是老是无法拉低，无法关断，求指点

只看该作者 · 2025-1-15 09:55

上图

只看该作者 · 2025-1-15 10:02

这个是按照上面描述的图，分别是图1、图2、图3

只看该作者 · 2025-1-15 10:20

只看该作者 · 2025-1-15 10:52

bbnmnc 发表于 2025-1-15 10:02
这个是按照上面描述的图，分别是图1、图2、图3

上传完要点一下图片插入进来才行

只看该作者 · 2025-1-15 11:03

只看该作者 · 2025-1-15 11:08

bbnmnc 发表于 2025-1-15 11:03

以上图片，图1和图2区别就是NPN一个连接了NMOS栅极，一个没有连接，一旦连接上栅极总是有3.6V的电压，问了领导说是NPN的BE端有电压，无法把栅极电压拉低，图3是更改后，栅极还是有电压，这种是什么问题，求大神指点一下

只看该作者 · 2025-1-15 11:27

本帖最后由 LcwSwust 于 2025-1-15 11:31 编辑

图1，你想一下，电流大了会让三极管导通，三极管导通让MOS管关断，MOS关断让电流变小，电流变小让三极管关断，是个负反馈过程，而且不只是“导通”与“关断”，会有中间的过程，最终要么不断的通断形成振荡，要么达到平衡稳定在一个值变成恒流源。
图3的Q1、Q2你看像不像可控硅，导通后是不是会让电源短路？或让三极管炸掉？三极管基极要不要加限流电阻？
只能说，幸好只是仿真。