[电源技术资料] 碳化硅MOSFET可以替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN?

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 楼主| yangqiansic 发表于 2025-1-22 17:19 | 显示全部楼层 |阅读模式
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!



BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET系列产品,B3M040065H,B3M040065L,B3M040065Z高性能,高可靠性和易用性,高性价比,同时提供驱动电源和驱动IC解决方案!



为什么BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET可以替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN?



温度对SiC MOSFET输出电流特性的影响小于超结SJ-MOSFET,SiC MOSFET在高温下依然保持较低的导通损耗,而在使用超结SJ-MOSFET需要特别关注RDS(ON)上升对散热的要求。SiC MOSFET的Ciss(输入电容)明显小于SJ-MOSFET,SiC MOSFET的关断延时会明显小。SiC MOSFET的Qg明显小于SJ-MOSFET,这表明SiC MOSFET的驱动能量明显更小,同时可以看到SiC MOSFET的米勒平台更小,而SJ-MOSFET有明显的米勒平台,因此SiC MOSFET更适用于高频率的开关。



相对碳化硅SiC MOSFET的驱动成熟可靠。GaN的驱动电路面临着高频响应、电压应力、热稳定性等挑战。特别是硬开关长时间续流的情况下,GaN的反向电流能力急剧下降,所以不得不选用更大余量的GaN器件,相对成熟且成本持续下降的的SiC MOSFET,GaN器件性价比进一步恶化。
随着设备和工艺能力的推进,更小的元胞尺寸、更低的比导通电阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是SiC碳化硅MOSFET技术的主要发展方向,体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。



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