本帖最后由 chuanhuang 于 2025-1-23 08:41 编辑
MT29F8T08EQLCHL5-QAES:C是一款基于3D TLC(Triple Level Cell)技术的NAND闪存芯片,其存储容量高达8Tb(太字节),相当于8000Gb(吉字节)。这一惊人的存储密度得益于美光先进的3D NAND架构,该架构通过垂直堆叠存储单元的方式,在不增加芯片面积的前提下,显著提升了存储容量。此外,该芯片采用了QLC(Quad Level Cell)技术的变种——TLC,通过每个存储单元存储3位数据,实现了容量与成本的良好平衡,同时保持了相对较高的性能水平。 |