STM32的flash当做存储使用时只能按页擦除按页写吗？

发表于 2025-1-24 15:37

发表于 2025-2-8 01:00

STM32的Flash当做存储使用时，确实主要是按页擦除和按页（或指定大小的数据单位）写入的

发表于 2025-2-8 02:00

STM32的Flash擦除操作是以页为单位的。这意味着，当你需要擦除Flash中的某些数据时，你必须整页地擦除，而不能只擦除页中的一部分

发表于 2025-2-8 03:00

擦除操作是写入操作的前置步骤，因为Flash的写入操作遵循“先擦除，后写入”的原则

发表于 2025-2-8 04:00

虽然擦除操作是以页为单位，但写入操作则更加灵活。STM32允许以16位半字宽度数据为单位进行写入，这意味着你可以写入单个的半字（16位）数据，也可以写入多个连续的半字数据

发表于 2025-2-8 05:00

写入操作允许跨页进行，但需要注意的是，在写入新数据之前，目标页必须已经被擦除

发表于 2025-2-8 06:00

STM32的Flash有寿命限制，通常最多只能重复擦写10万次。因此，在程序设计中，应避免无谓的重复擦写操作，以延长Flash的使用寿命

发表于 2025-2-8 07:00

在进行Flash编程操作（包括写或擦除）时，必须确保STM32的内部RC振荡器（HSI）已打开

发表于 2025-2-8 08:00

STM32的Flash还提供了读写保护功能，以防止数据被意外修改。这一功能可以通过配置相关的寄存器来启用或禁用

发表于 2025-2-8 09:00

STM32的Flash当做存储使用时，主要是按页擦除和按页（或指定大小的数据单位）写入的

发表于 2025-2-8 09:02

是的，STM32 的 Flash 只能按页擦除，但写入可以按字节或字来完成。

发表于 2025-2-8 09:03

Flash 擦除的确只能按页操作，这是 Flash 存储的物理特性决定的。

发表于 2025-2-8 09:04

如果需要频繁写小数据块，可以考虑用 EEPROM 模拟库来减少擦除次数。

发表于 2025-2-8 09:05

注意 STM32 有些系列提供独立的 EEPROM 区域，比如 F0、L 系列，不需要用 Flash。

发表于 2025-2-8 09:06

Flash 擦写次数有限，建议做好数据管理，比如按块轮询写入来延长寿命。

发表于 2025-2-8 09:07

在写入数据时，不必按页写，只要不跨页即可，STM32 的 Flash 写操作是很灵活的。

发表于 2025-2-8 09:08

擦除时间比较长，如果数据更新频繁的话，可能影响性能，设计时需要考虑到。

发表于 2025-2-8 09:10

为了避免频繁擦写，可以先读取 Flash 内容，对需要改动的数据部分进行更新后再写。

发表于 2025-2-8 09:11

有些 STM32 芯片支持双分区 Flash，可以利用这个特性实现更高效的数据管理。

发表于 2025-2-8 09:12

你也可以引入 wear leveling 算法来优化 Flash 存储寿命，这在持久存储场景中很实用。

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