本帖最后由 IFX新闻官 于 2025-1-27 11:06 编辑
随着AI服务器和数据中心对电力需求的不断增加，电源设计正在经历快速迭代：功率从800W迅速提升至5.5kW，并逐步向12kW及更高水平迈进。此外，系统效率的要求已提升至97.5%以上，功率密度也显著提高（例如，100W/in³），以满足日益紧凑的尺寸限制，同时确保符合严格的保持时间要求。
英飞凌结合自身在应用和系统设计方面的专业知识，采纳数据中心运营商和电源制造 商的意见，开发了一系列覆盖3kW到12kW范围的参考板。这些解决方案展示了英飞凌如何通过其功率半导体技术，满足并超越行业对PSU性能要求的能力。
作为拥有高性能碳化硅MOSFET（CoolSiC™）、氮化镓晶体管（CoolGaN™）和硅基MOSFET（CoolMOS™）的功率半导体领域的领导者，英飞凌推出的这些PSU充分发挥不同技术优势，最大限度地提高从交流到直流的电源性能，突破效率和功率密度的限制，为AI服务器和数据中心系统提供高度可靠且可持续的价值。
3kW 解决方案 服务器和数据中心专用3kW 50V PSU （EVAL_3KW_50V_PSU）
系统特点
客户收益
产品技术亮点 CoolSiC™ MOSFET 650V 600V CoolMOS™ SJ MOSFET C7 600V CoolMOS™ SJ MOSFET CFD7 OptiMOS™ 5 Power MOSFET 80V EiceDRIVER™单通道和双通道驱动器 CoolSET™反激式控制器：集成800V CoolMOS™ XMC™工业微控制器 ISOFACE™数字隔离器 降压DC-DC稳压器 中功率肖特基二极管
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3.3kW 解决方案 3.3kW高频和高功率密度（HF/HD）整流器 （REF_3K3W_HFHD_PSU）
系统设计方法
客户收益 完整的PSU包括PFC + DC-DC 保持时间延长电路 可作为参考板使用
产品技术亮点
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8kW 解决方案 用于AI服务器SMPS的8kW PSU（REF_8KW_HFHD_PSU）
系统设计方法 全数字化控制架构：采用交错无桥图腾柱PFC和全桥GaN LLC 效率标杆：高达97.5%（通过优化设计，减少散热需求，从而减少对空调制冷的依赖） 功率密度：高达100 W/in³（比ORv3规格高出两倍） 得益于GaN晶体管，高压LLC中的频率最高
客户收益 完整的电源解决方案（PSU）：包括单相PFC + DCDC 混合开关设计（Si、SiC 和 GaN）：实现出色的系统性能 最高效率和功率密度 符合ORv3服务器外形规范 减少电容器的使用数量和体积，提升可靠性，缩小系统尺寸 可作为参考板使用
产品技术亮点 CoolSiC™ MOSFET 650V CoolGaN™晶体管 650V CoolMOS™ 600V CM8 OptiMOS™功率MOSFET 60V / 80V EiceDRIVER™ 1EDB、1EDN、2EDB CoolSET™反激式控制器：集成800V CoolMOS™ OPTIREG™开关 ISOFACE™数字隔离器
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12kW 解决方案 12kW高功率密度PSU技术演示器
系统设计方法
客户收益
产品技术亮点 400V CoolSiC™ MOSFET 100V CoolGaN™晶体 管 600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET G5 650V CoolSiC™肖特基二极管 EiceDRIVER™ 1EDB、1EDN、2EDB 集成 800V CoolMOS™的CoolSET™ 反激式控制器 ISOFACE™数字隔离器 PSoC™和 XMC™微控制器
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