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借助英飞凌创新CoolGaN™解决方案提高系统性能,为新一代解决方案提供动力

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英飞凌的CoolGaN™解决方案可助力您将设计提升到新的高度。CoolGaN™拥有出色的可靠性、行业领先的性能和最高质量,能够为服务器、超大规模数据中心、电信、电机控制、工业解决方案、住宅太阳能系统和ESS、车载充电系统、USB-C适配器和充电器以及音响系统等众多应用中的各种不同系统创造巨大价值。

探索CoolGaN™创新世界,迈向高效、可靠的新时代!


CoolGaN™高压驱动
CoolGaN™Drive 600V/700V G5产品系列基于CoolGaN™Transistor技术和智能栅极驱动器。解决方案包括单开关和半桥式集成驱动器选项。

特性
  • 集成栅极驱动器,自引导二极管,无损电流检测,可调开/关dv/dt包括大多数产品
  • 全面的保护功能集:OCP,OTP,SCP可在大多数产品
  • 140 mΩ - 500 mΩ低成本LGA 6x8
  • 55 mΩ - 500 mΩ在PQFN 5x6和6x8


益处
  • 高功率密度,实现最高效率,减轻系统重
  • 减少物料清单(BoM)组件
  • 由于效率的提高和组件的减少,减少了碳足迹


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CoolGaN™ Smart Sense智能感测
CoolGaN™智能感测产品是CoolGaN™产品系列的新成员,拥有行业领先的集成式电流感测功能,以及其他感测和保护功能选项。

特性
  • 与晶体管集成在一个封装中——封装尺寸与仅含晶体管的封装相兼容
  • 连接至控制器CS,可实现峰值电流控制和过流保护
  • 电流感测响应时间约为200ns,等于或小于普通控制器消隐时间


益处
  • 从CoolGaN™晶体管轻松升级到CoolGaN™智能感测,无需重新布局,无需重新设计电路板
  • 通过降低感测电阻器损耗和消除散热热点,使效率提高约0.4%
  • 节约成本:选择价格更低的350 mΩ RDSon CoolGaN™智能感测来实现与传统150 mΩ GaN晶体管相似的效率和热性能
  • 可以使用开尔文源极进行驱动,从而实现更清洁的驱动回路和接地
  • 本征“无源GaN FET”,无需额外电源,简洁易用


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高压CoolGaN™BDS
高压CoolGaN™BDS产品是基于英飞凌CoolGaN™技术的单片双向开关(BDS)器件。这些器件是常闭型栅极注入晶体管(GIT),具备两个实现了独立的电气隔离控制的栅极。BDS器件能够阻断两个方向的电压。

特性
  • 真正的常闭型650V单片双向开关,提供4种运行模式
  • 两个独立的栅极,带衬底端子并实现了独立的电气隔离控制
  • 共漏极配置
  • 利用相同的漂移区来阻断两个方向的电压


益处
  • 用1颗器件而不是4颗来实现目标电路性能
  • 用单个双向开关来取代2个或4个单向开关,从而节约成本
  • 可实现更高开关频率并提升性能(效率、密度、可靠性)


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中压CoolGaN™BDS
中压CoolGaN™BDS产品是基于英飞凌CoolGaN™技术的单片双向开关(BDS)器件。这些器件是常闭型栅极注入晶体管(GIT),具备两个实现了独立的电气隔离控制的栅极。BDS器件能够阻断两个方向的电压。

特性
  • 真正的常闭型650V单片双向开关,提供4种运行模式
  • 两个独立的栅极,带衬底端子并实现了独立的电气隔离控制
  • 共漏极配置
  • 利用相同的漂移区来阻断两个方向的电压


益处
  • 用1颗器件而不是4颗来实现目标电路性能
  • 用单个双向开关来取代2个或4个单向开关,从而节约成本
  • 可实现更高开关频率并提升性能(效率、密度、可靠性)

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