芯源MCU的进入休眠模式或深度休眠模式

只看该作者 · 2025-1-28 08:00

使用M0+ 内核的ARM 等待中断专用指令，WFI（Wait for Interrupt），配合M0+ 内核的系统控制寄存器（SCR，
System Control Register）的SLEEPONEXIT 和SLEEPDEEP 位域，可实现立即进入或退出（中断服务程序）时进
入休眠模式或深度休眠模式。
●● 立即进入
执行WFI 指令，MCU 将立即进入休眠模式（SLEEPDEEP 为0 时）或深度休眠模式（SLEEPDEEP 为1 时）。
●● 退出时进入
将SLEEPONEXIT 位置1，当退出最低优先级的中断服务程序后，MCU 会进入休眠模式（SLEEPDEEP 为0 时）
或深度休眠模式（SLEEPDEEP 为1 时），而不需执行WFI 指令。

注意：
在进入深度休眠模式之前，若FLASH 正在进行擦写操作，则必须等待FLASH_CR1.BUSY 标志位清0，同时
须确保FLASH_CR1.MODE 为0。
在进入深度休眠模式之前，用户必须配置HCLK 时钟频率小于或等于4MHz，否则易造成内核损坏。
在深度休眠模式下，系统将自动关闭高速时钟。如用户需要在深度休眠模式下使部分外设仍保持运行，则须
在进入深度休眠模式前，启动相应的低速时钟并将该外设时钟设置为此低速时钟。
若使能了VCx，必须等待VCx_SR.READY 标志位置1 后才可以进入深度休眠模式，否则无法进入深度休眠模式。