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MOSFET GS耐压的问题

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csjedi|  楼主 | 2012-6-4 16:47 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOSFET, 电压, 脉冲, 高电压, 数据手册
看到数据手册上写MOSFET GS耐压一般不超过30V。但我通过实际测试(用可调电压源接在MOSFET GS间)，从0V开始逐渐调高电压，发现电压超过70V的时候MOSFET才会烧坏，连续试了好几个都是这样。
是厂家有意将这个值写低了，还是我的测试方法有问题？
如果MOSFET开启时GS间经常会有超过30V的脉冲尖峰，会不会加速MOSFET的烧毁？

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沙发
tjzyh| | 2012-6-4 18:16 | 只看该作者
GS耐压一般不超过30V？不会吧，我看到不是

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板凳
lyjian| | 2012-6-4 19:01 | 只看该作者
有点余量有什么奇怪的
这批次你拿到的管子可能到70V才击穿，但下批次你拿到的管子可能才刚过30V就击穿了

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地板
不亦心| | 2012-6-5 09:01 | 只看该作者
600V的mos扛到700V不烧有什么稀奇的

LZ敢不敢拿国产的烧一下看看

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5楼
t.jm| | 2012-6-5 09:57 | 只看该作者
GS要那么高耐压干嘛？
比如12V能完全导通何必用30V驱动，GS是电容特性，驱动电压高导通延时短但是关断延时就长了。

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