在T型三电平逆变器拓扑中，我计算开关管上管的并联RC吸收电路中电阻损耗的功率是否会超出额定功率。
我的思路：IGBT关断时电容C由半母线电压被充电至Vpeak，在IGBT导通时电容通过电阻放电
其中V0=275V Vpeak=584V(实测）C=330pF f=180kHz
所以我计算得出RC吸收电阻损耗功率：Pr=(ΔV)^2*C*f=5.67W
但是实际由实测的电阻两端电压波形可得电阻两端电压有效值Vrms=5V 根据V^2/R得出电阻损耗功率为1W左右，同时通过观察电阻上的温升符合1W功率损耗。
1.请问大家，相差这么多的功率是我的功率计算公式使用的不对吗？
2.还是说在高频工况下IGBT寄生参数以及PCB的杂散参数确实会分流这么大？
3.我实测电容充电时两端电压波形不符合一阶RC的曲线，这种情况是什么造成的呢？
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