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这种复合管有两个NMOS 每组有两个D极

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molb|  楼主 | 2025-2-25 21:43 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 molb 于 2025-2-25 22:00 编辑

在区分牺轿MOS管中的N沟同P沟之前,首先要了解场效应管的一个基本概念,即S、G、D三极的含义和区分,及场效应管的工作原理。为方便**,场效应管的三个极被称为S、G、D极,分别对应于双极型晶体管的e(发射极)、b(基极追矿)、c(集电极),两者间作用相似。其中S极(源极):Source,简称场效应管(FET),由多数载流子参与导电,如果对胳霸仗其外加电压,载流子将从源极流向漏极,相当于发射极e;G极(栅极):Gate electrode,由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极,可被认为是开关,它可以通过使源极和漏极之间的沟道产生/消除,从而允许/阻碍载流子通过,起控制电流放大信号的作用,相当于基极b;D极(漏极):Drain electrode,相当于集电极c。部分FET还有第四极----基极(B)或被称为【衬底】,常和源极连在一起

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