摘要：
本文详细介绍了GD32F4xx微控制器中的各种RAM类型及其基地址，包括内部SRAM、外部SRAM、外部SDRAM以及特殊用途的RAM。了解这些存储器的基地址对于嵌入式系统开发至关重要，因为它们决定了如何访问和操作这些存储器区域。
正文：
在GD32F4xx微控制器中，为了满足不同的应用需求，提供了多种类型的RAM。这些RAM包括内部SRAM、外部SRAM、外部SDRAM以及备份SRAM等。每种类型的RAM都有其特定的基地址，这些基地址在微控制器的内存映射表中是预先定义的。以下是这些RAM类型的详细介绍及其基地址：
1. 片上SRAM
片上SRAM是GD32F4xx微控制器内部的静态随机存取存储器，总容量高达256KB，分为以下几块：
SRAM0：112KB，基地址为0x20000000。
SRAM1：16KB，基地址为0x2001C000。
SRAM2：64KB，基地址为0x20020000。
TCMSRAM（紧耦合存储器SRAM）：64KB，只可被Cortex-M4内核的数据总线访问。
2. 备份SRAM（BKPSRAM）
备份SRAM是位于备份域的4KB SRAM，即使当VDD供电电源掉电时，该SRAM仍可保持其内容。
3. 附加SRAM（ADDSRAM）
附加SRAM提供额外的512KB存储空间，只在一些特殊的GD32F4xx器件中可用。
4. 外部SRAM
对于外部SRAM，GD32F4系列微控制器通常使用0x60000000作为基地址，这是EXMC Bank0 Region0的起始地址，专门用于映射外部SRAM设备。
5. 外部SDRAM
外部SDRAM的基地址通常为0xC0000000，这是SDRAM设备0的基地址，用于访问连接到GD32F470的外部SDRAM。
6. 内部FLASH
内部FLASH的基地址为0x08000000。
内存映射与初始化
通过配置EXMC（外部存储器控制器），可以将外部存储器的实际物理地址映射到上述基地址，从而允许微控制器通过这些基地址来访问外部存储器。对于SDRAM和SRAM，需要通过调用特定的初始化函数（如exmc_synchronous_dynamic_ram_init和exmc_norsram_init）来配置EXMC的寄存器，以确保微控制器能够正确地与这些存储器通信。
总结
了解GD32F4xx微控制器中各种RAM的基地址对于嵌入式系统开发至关重要。这些基地址不仅决定了如何访问和操作存储器区域，还影响着系统的内存管理策略。通过合理配置和使用这些存储器资源，可以充分发挥GD32F4xx微控制器的性能，满足不同应用场景的需求。
参考文献
GD32F4xx微控制器参考手册
GD32F4xx微控制器数据手册
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