GALT61120的热仿真

只看该作者 · 2025-3-6 13:31

#技术资源# GALT61120的发热功率该如何计算

只看该作者 · 2025-3-7 13:57

本帖最后由 Gfan 于 2025-3-7 14:04 编辑

GALT61120芯片内部的损耗主要包括导通损耗、静态损耗等：

◆ 导通损耗Pcond
GALT61120内部的MOS管，导通时会有一定电阻，产生导通损耗。计算公式为Pcond=（ILED）2*RDS(on)，其中ILED是LED的正向电流，RDS(on)是功率晶体管的导通电阻。
参数获取：ILED可通过测量得到，RDS(on)可从芯片的数据手册中查找。

◆ 静态损耗Pstatic
静态损耗是芯片在无负载或轻负载情况下消耗的功率，主要由芯片内部的偏置电路、控制电路等消耗。静态损耗相对较小，可从数据手册中获取典型值Pstatic。

◆ 计算芯片功耗Ppower
芯片功耗Ppower=Pcond+Pstatic

只看该作者 · 2025-3-7 23:02

这个根据芯片数据手册和运行负载功耗基本可以算出来