【国产替代】ARK（方舟微）DMZ42C10S 完美替代 英飞凌BSS169
DMZ42C10S产品简述
DMZ42C10S是ARK（方舟微）研发的一款耐压100V的N沟道耗尽型MOSFET产品，该产品性能优异，可靠性高，且参数定义范围与Infineon的BSS169基本一致。相较于BSS169，DMZ42C10S具有更低的导通电阻，以及更大的电流能力，可以对BSS169实现Pin-to-Pin完美替代。
2、DMZ42C10S与BSS169对比
封装形式对比
图1. DMZ42C10S封装类型及电极脚位 图2. BSS169封装类型及电极脚位
DMZ42C10S和BSS169均为SOT-23封装，且D、G、S电极分布完全一致。
主要静态参数定义范围对比
Item
| BVDS
| VGS(OFF)
| ID(OFF)
| IGSS
| RDS(on)
| RDS(on)
| IDSS(Min)
| Test condition
| VGS=-10V,
ID=250uA
| VDS=3V,
ID=50uA
| VDS=100V,
VGS=-10V
| VGS=20V,
VDS=0V
| VGS=0V,
ID=50mA
| VGS=10V,
ID=190mA
| VGS=0V,
VDS=10V
| DMX42C10S
| ＞100V
| -2.9V～-1.8V
| ＜0.1uA
| ＜10nA
| ＜6Ω
| Type: 1.2Ω
| ＞90mA
| BSS169
| ＞100V
| -2.9V～-1.8V
| ＜0.1uA
| ＜10nA
| ＜12Ω
| Type: 2.9Ω
| ＞90mA
|
*上述数据来源于两款产品的数据手册。
DMX42C10S各项参数的定义范围与BSS169基本一致。
样品参数实测对比
Item
| IGSSR
| IGSS
| ID(OFF)
| BVDSS
| VGS(Off)
| RDS(ON)
| IDSS
| Test condition
| VGS=-20V
| VGS=20V
| VDS=100V
| IDS=250uA
| ID=50uA
| IDS=50mA
| VDS=10V
| | | VDS=0V
| VDS=0V
| VSG=10V
| VSG=10V
| VDS=3V
| VG=0V
| VGS=0V
| DMZ42C10S
| 0.208nA
| 0.203nA
| 0.002uA
| 114.6V
| -2.4V
| 1.78Ω
| 530.6mA
| BSS169
| 0.375nA
| 0.438nA
| 0.002uA
| 149.8V
| -2.1V
| 5.93Ω
| 217.3mA
|
DMZ42C10S具体更低的导通电阻和更大的电流能力，BSS169的实际耐压高于DMZ42C10S(注：ARK（方舟微）已经开发出了实际击穿电压与BSS169相近的升级款产品，后续即将推出)。
3、耗尽型MOSFET产品在应用中对标的主要特点说明
耗尽型MOSFET在绝大多数应用中，都是工作在亚阈值状态下（即栅-源电压VGS满足：VGS(OFF)＜VGS＜0V），此时耗尽型MOSFET的参数具有如下特点：
导通电阻RDS(ON)：亚阈状态下导通电阻是变化的，且会明显超过VGS=0V时的电阻值（规格书中给出的电阻参数）；但是当MOSFET工作在直通状态时，导通电阻越小，则会带来更低的电压降，且相应具有更大的电流能力。
阈值电压VGS(OFF)：只需要满足电路驱动电源要求以及电路参数要求即可，如搭配运放使用时，只要符合运放的驱动输出范围即可；如搭配电阻实现限流的应用，通过调节限流电阻的阻值，也可以使用不同阻值的电阻达到相近的限流需求。因此，不一定需要完全一样的阈值电压参数才能实现对标替代；
电流参数：一般主要关注耗尽型MOSFET在一定栅极偏压下的饱和电流大小（相对综合的参数）是否能满足电流的电流需求，饱和电流越大，则越能适配大电流下的应用。
因此，对于耗尽型MOSFET的替代选型，通常“参数是否一模一样”并不是对标选型的固定标准。
4、DMZ42C10S的典型应用方案介绍
给DAC芯片/传感器调理芯片供电并提供过压保护
DMZ42C10S适合用于传感器、智能变送器中，给DAC芯片、传感器调理芯片供电，并为负载电路提供浪涌防护，典型应用电路如下：
<Object: word/embeddings/oleObject1.bin>
图3. DMZ42C10S给AD421供电及提供过压保护的典型电路方案
恒流/限流应用
DMZ42C10S适合用于构建简易恒流源，以及用于构建限流单元实现过流保护，典型应用方案如下：
<Object: word/embeddings/oleObject2.bin>
图3.DMZ42C10S用于构建恒流及限流保护单元的典型方案
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