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PWM控制NMOS开关电路发热一般是怎么回事?

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gejigeji521|  楼主 | 2025-3-10 13:03 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
PWM控制NMOS开关电路发热一般是怎么回事?

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沙发
21mengnan| | 2025-3-13 10:09 | 只看该作者
没有完全打开吗?看看波形是不是发生了形变。

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板凳
锵才才| | 2025-3-13 17:13 | 只看该作者
PWM频率过高导致管子频繁开关会增加功耗,另外PWM驱动能力不够导致管子无法快速关断也会增加功耗

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地板
gejigeji521|  楼主 | 2025-3-14 14:25 | 只看该作者
锵才才 发表于 2025-3-13 17:13
PWM频率过高导致管子频繁开关会增加功耗,另外PWM驱动能力不够导致管子无法快速关断也会增加功耗 ...

另外IO设置为哪个模式合适呢?开漏、推挽、准双向?哪个合适?

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wutaosamuel| | 2025-3-14 16:35 | 只看该作者
看MOS管的数据手册,看你MCU的IO驱动能力能不能完全达到MOS管的要求

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锵才才| | 2025-3-20 17:05 | 只看该作者
gejigeji521 发表于 2025-3-14 14:25
另外IO设置为哪个模式合适呢?开漏、推挽、准双向?哪个合适?

开漏要加上拉电阻,切换速度稍慢,但隔离性好。推挽切换速度快,驱动能力也不错,一般建议用推挽,准双向似乎是用于特定的I/O

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g36xcv| | 2025-3-27 15:35 | 只看该作者
频繁的开关会使 NMOS 发热严重。

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wamed| | 2025-4-18 13:11 | 只看该作者
NMOS在PWM信号控制下频繁开关,当栅极驱动电压上升/下降速度不足时,开关过程会变慢,导致NMOS在导通和截止状态之间存在半导通区(此时电阻较大),产生较大功率损耗。

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9
ewyu| | 2025-4-18 14:15 | 只看该作者
在开关过程中会通过米勒效应放大漏极电压变化,导致栅极电压振荡,延长开关时间,增加损耗。

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10
pe66ak| | 2025-4-18 15:22 | 只看该作者
如果选用的NMOS导通电阻过大,或驱动电流不足导致NMOS未完全导通,损耗会显著增加。

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11
miltk| | 2025-4-18 16:26 | 只看该作者
栅极驱动能力不足驱动电流过小,导致栅极电压上升/下降速度慢,开关时间延长。

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12
gongqijuns| | 2025-4-18 17:43 | 只看该作者
负载电流超过NMOS的额定电流,导致过大的导通损耗。

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hhdhy| | 2025-4-18 18:52 | 只看该作者
超过NMOS的耐压值,可能引发雪崩击穿,产生大量热量。

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nuan11nuan| | 2025-4-18 21:03 | 只看该作者
封装散热能力不足,或PCB布局不合理,导致热量无法有效散发。

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eleg34ance| | 2025-4-18 22:14 | 只看该作者
PCB走线寄生电感、电容在高频开关时产生振荡,增加损耗。

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一切D都好| | 2025-4-19 10:07 | 只看该作者
PWM信号受干扰,导致NMOS误动作,增加开关损耗。

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canfeil| | 2025-4-19 12:31 | 只看该作者
使用专用栅极驱动芯片(如IR2104、TPS28225),提供足够的驱动电流和电压。

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