可控硅的损坏问题

只看该作者 · 2012-6-6 12:14

可控硅有没有可能损坏部分结，使可控硅电流直接从A流到G。
我在分析产品时发现有些可控硅都是在G、K侧炸飞一小块封装。而从其它元件损坏的情况分析，产品没有通很大的电流，像是长时间通小电流损坏的现象。
我的产品是瞬时工作制，工作时通过的电流远大于控硅的工作电流，但时间都是100ms内。如果可控硅有触发信号，但可控硅某个结损坏，会不会造成电流从A直接流到G。

只看该作者 · 2012-6-11 09:00

可控硅的选型有问题，100ms内工作电流远大于可空硅的额定工作电流，这里既然已知为什么不改善呢？

只看该作者 · 2012-6-13 11:58

一直都是这样使用的。求技术上的分析。

只看该作者 · 2012-6-15 10:58

自己顶一下。

只看该作者 · 2012-6-15 22:44

本帖最后由 wjzx111056 于 2012-6-15 22:45 编辑

首先，你得了解可控硅正常时的工作原理：可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如附件所示，当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流Ib2流过，经BG2放大，其集电极电流Ic2=β2Ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以Ib1=Ic2。此时，电流Ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流Ic1=β1Ib1=β1β2Ib2。这个电流又流回到BG2的基极，使之构成正反馈，使Ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
其次，你应该知道其反向特性，当控制极开路，阳极加上反向电压时，J2结正偏，但J1、J3结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，J3结也击穿，电流迅速增加，可控硅会发生永久性反向。
由于楼主没有给出可控硅的型号，所以不能用数据进行分析，至于你提到的“可控硅有没有可能损坏部分结，使可控硅电流直接从A流到G”，这是有可能的，当J2和J3造成永久性反向时会出现电流直接从A流到G。

只看该作者 · 2012-6-18 21:12

to wjzx111056
感谢你的详细分析，我们用的最多的是BT169D和MCR100-8，本来设计的时候是设想可控硅导通后，马上断电，所以虽然可控硅导通时流经的电流比较大（3A左右），但时间比较断，实际也证明不会损坏。但在实际应用中也发现了产品烧坏现象，从现象分析，产品可能流经了一定的电流，但不足以使产品断电的电流，造成产品上元件烧毁，可控硅有的是炸掉，有的没有炸。所以我想有没有可能可控硅的损坏成没有自锁功能，也没有一定的放大（完全导通）功能，那就有可能出现了电流不大，造成产品不断电，长时间通电后元件烧毁，可控硅炸。