本帖最后由 wjzx111056 于 2012-6-15 22:45 编辑
首先，你得了解可控硅正常时的工作原理：可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如附件所示，当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流Ib2流过，经BG2放大，其集电极电流Ic2=β2Ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以Ib1=Ic2。此时，电流Ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流Ic1=β1Ib1=β1β2Ib2。这个电流又流回到BG2的基极，使之构成正反馈，使Ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
其次，你应该知道其反向特性，当控制极开路，阳极加上反向电压时，J2结正偏，但J1、J3结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，J3结也击穿，电流迅速增加，可控硅会发生永久性反向。
由于楼主没有给出可控硅的型号，所以不能用数据进行分析，至于你提到的“可控硅有没有可能损坏部分结，使可控硅电流直接从A流到G”，这是有可能的，当J2和J3造成永久性反向时会出现电流直接从A流到G。
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楼主
