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MOS管 三个管脚： G极(gate)—栅极，不用说比较好认 S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是 D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边 寄生二极管方向： 不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：要么都由S指向D，要么都有D指向S 
工作原理 2、为了让其导通，在P型半导体区加上一层很薄的二氧化硅绝缘层，在绝缘层上再加一片金属板形成栅极，如下图所示： 
1、当VGS<VGS（TH）时，MOS管处于截止状态； 2、当VGS>VGS（TH）、VDS<VGS-VGS（TH）时，MOS管导通，且处在线性区，此时可以等效为线性电阻。 3、当VGS>VGS（TH）、VDS>VGS-VGS（TH）时，MOS管导通，且处在饱和区，此时可以等效为电压控制的电流源。 只要MOS管导通，且V_GS>V_DS，则MOS管一定处在饱和区。 
MOSFET主要参数关断电压VP 、极限参数、最大漏级电流Idm 、最大功耗Pdm 。
2、夹断电压VGS（off）（是结型场效应管和耗尽型MOS管的参数） 与VGS（TH）相类似，VGS（off）是在UDS为常量情况下iD为规定的微小电流（如5μA）时的UGS。 4、击穿电压: 管子进入恒流区后,使iDS骤然增大的UDS称为漏-源击穿电压U(BR)DS,UDS超过此值会使管子损坏。 对结型场效应管,使栅极与沟道间PN结反向击穿的UGS为栅-源击穿电压U(BR)GS; 对绝缘栅型场效应管,使绝缘层击穿的UGS为栅-源击穿电压U(BR)GS。 6、直流输入电阻RGS 即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比 这一特性有时以流过栅极的栅流表示 MOS管的RGS可以很容易地超过10^10Ω。 8、导通电阻RON 导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数 在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大 ，一般在几十千欧到几百千欧之间 由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似 对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内 10、低频噪声系数NF 噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的 由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输 出端也出现不规则的电压或电流变化 噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB） 这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小 低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数 场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小 MOS的特点一般认为MOSFET（MOS管）是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS管的G极和S极之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。 下图的3个电容为MOS管的结电容，电感为电路走线的寄生电感： 
1、设计需要注意的地方：如果不考虑纹波、EMI和冲击电流等要求的话，MOS管开关速度越快越好。 因为开关时间越短，开关损耗越小，而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分，因此MOS管驱动电路的好坏直接决定了电源的效率。
因为驱动线路走线会有寄生电感，而寄生电感和MOS管的结电容会组成一个LC振荡电路，如果直接把驱动芯片的输出端接到MOS管栅极的话，在PWM波的上升下降沿会产生很大的震荡，导致MOS管急剧发热甚至爆炸，一般的解决方法是在栅极串联10欧左右的电阻（具体可以参考电阻作用章节），降低LC振荡电路的Q值，使震荡迅速衰减掉。 因为MOS管栅极高输入阻抗的特性，一点点静电或者干扰都可能导致MOS管误导通，所以建议在MOS管G极和S极之间并联一个10K的电阻以降低输入阻抗。
如果担心附近功率线路上的干扰耦合过来产生瞬间高压击穿MOS管的话，可以在GS之间再并联一个18V左右的TVS瞬态抑制二极管。TVS可以认为是一个反应速度很快的稳压管，其瞬间可以承受的功率高达几百至上千瓦，可以用来吸收瞬间的干扰脉冲。
MOS管驱动线路的环路面积要尽可能小，否则可能会引入外来的电磁干扰。 驱动芯片的旁路电容要尽量靠近驱动芯片的VCC和GND引脚，否则走线的电感会很大程度上影响芯片的瞬间输出电流。
3、开关时MOS管驱动波形 如果出现了这样圆不溜秋的波形就等着核爆吧。有很大一部分时间管子都工作在线性区，损耗极其巨大。 一般这种情况是布线太长电感太大，栅极电阻都救不了你，只能重新画板子。 在上升下降沿震荡严重，这种情况管子一般瞬间死掉，跟上一个情况差不多，进线性区。 原因也类似，主要是布线的问题。又胖又圆的肥猪波。 上升下降沿极其缓慢，这是因为阻抗不匹配导致的。 芯片驱动能力太差或者栅极电阻太大。 果断换大电流的驱动芯片，栅极电阻往小调调就OK了。 打肿脸充正弦的生于方波他们家的三角波： 
高低电平分明，电平这时候可以叫电平了，因为它平。边沿陡峭，开关速度快，损耗很小，略有震荡，可以接受，管子进不了线性区，强迫症的话可以适当调大栅极电阻。 方方正正的帅哥波，无振铃无尖峰无线性损耗的三无产品，这就是最完美的波形了。
放大作用： 这个一个分压式偏置电路 2、对于放大倍速与输入电阻、输出电阻则要放到交流等效模型中进行计算 可以参考下图基本共源放大电路简化的交流等效电流 
得到 AU=UO/UI=-gmRD RI=∞ RO=RD 分四种情况： 1、当SDA1输出高电平时：MOS管Q1的Vgs = 0，MOS管关闭，SDA2被电阻R3上拉到5V。 2、当SDA1输出低电平时：MOS管Q1的Vgs = 3.3V，大于导通电压，MOS管导通，SDA2通过MOS管被拉到低电平。 3、当SDA2输出高电平时：MOS管Q1的Vgs不变，MOS维持关闭状态，SDA1被电阻R2上拉到3.3V。 4、当SDA2输出低电平时：MOS管不导通，**但是它有体二极管！**MOS管里的体二极管把SDA1拉低到低电平，此时Vgs约等于3.3V，MOS管导通，进一步拉低了SDA1的电压。 注：低电平指等于或接近0V。高电平指等于或接近电源电压。所以3.3V电压域的器件，其高电平为等于或接近3.3V；5V电压域的器件，其高电平为等于或接近5V。
电机驱动H桥电路 功率电子开关（Q1,Q2,Q3,Q4）通常使用双极性功率三极管，或者场效应（FET）晶体管。特殊高压场合使用绝缘栅双极性晶体管（IGBT）。四个并联的二极管（D1，D2，D3，D4）通常被称为钳位二极管（Catch Diode），通常使用肖特基二极管。很多功率MOS管内部也都集成有内部反向导通二极管。H-桥电路上下分别连接电源正负极。 四个功率开关可以通过驱动电路被控制打开（Open）或者闭合（Close）。本质上四个功率管的开关状态组合应该有24 = 16种，但只有其中几种不同的组合才能够真正安全用于负载供电控制。 桥电路可以控制很多负载，但通常情况下会使用脉宽调制（PWM）驱动波形来为直流电机、双极性步进电机等进行高效控制。
下图是相反的情况，通过Q3、Q2的导通，Q1、Q4的断开，电机负载上施加了相反机型的电源电压。电机反转。 
也有一些组合是需要坚决避免的。比如下图所示的，当H-桥电路一边的上下两个晶体管同时导通（同时断开是允许的)，电源就会通过这两个晶体管形成短路回路。所产生巨大的短路电流通常会毫不客气的将这两个晶体管给烧毁。 
同边桥臂短路情况有时是控制信号不好（没有给足死区时间），有时是功率器件不够坚强（耐压不够被击穿）。但由于关系到H桥电路的生死，所以需要精细避免。
MOS管的测量现在由于生产工艺的进步，出厂的筛选、检测都很严格，我们一般判断只要判断MOS管不漏电、不击穿短路、内部不断路、能放大就可以了，方法极为简单：采用万用表的R×10K挡;R×10K挡内部的电池一般是9V加1.5V达到10.5V这个电压一般判断PN结点反相漏电是够了，万用表的红表笔是负电位(接内部电池的负极)，万用表的黑表笔是正电位(接内部电池的正极)，如图所示。（电池要保证电压足够大于9V，用快没电的电池可能会测不出）
保持上述状态;此时用一只100K～200K电阻连接于栅极和漏极，如下图所示;这时表针指示欧姆数应该越小越好，一般能指示到0欧姆，这时是正电荷通过100K电阻对MOS管的栅极充电，产生栅极电场，由于电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通，所以万用表指针偏转，偏转的角度大(欧姆指数小)证明放电性能好。 
这时用一根导线，连接被测管的栅极和源极，万用表的指针立即返回到无穷大，如上图所示。导线的连接使被测MOS管，栅极电荷释放，内部电场消失;导电沟道也消失，所以漏极和源极之间电阻又变成无穷大。 
MOS管的更换在修理电视机及各种电器设备时，遇到元器件损坏应该采用相同型号的元件进行更换。但是，有时相同的元件手边没有，就要采用其他型号的进行代换，这样就要考虑到各方面的性能、参数、外形尺寸等，例如电视的里面的行输出管，只要考虑耐压、电流、功率一般是可以进行代换的(行输出管外观尺寸几乎相同)，而且功率往往大一些更好。
对于MOS管代换虽然也是这一原则，最好是原型号的最好，特别是不要追求功率要大一些，因为功率大;输入电容就大，换了后和激励电路就不匹配了，激励灌流电路的充电限流电阻的阻值的大小和MOS管的输入电容是有关系的，选用功率大的尽管容量大了，但输入电容也就大了，激励电路的配合就不好了，这反而会使MOS管的开、关性能变坏。所示代换不同型号的MOS管，要考虑到其输入电容这一参数。
例如有一款42寸液晶电视的背光高压板损坏，经过检查是内部的大功率MOS管损坏，因为无原型号的代换，就选用了一个，电压、电流、功率均不小于原来的MOS管替换，结果是背光管出现连续的闪烁(启动困难)，最后还是换上原来一样型号的才解决问题。
检测到MOS管损坏后，更换时其周边的灌流电路的元件也必须全部更换，因为该MOS管的损坏也可能是灌流电路元件的欠佳引起MOS管损坏。即便是MOS管本身原因损坏，在MOS管击穿的瞬间，灌流电路元件也受到伤害，也应该更换。就像我们有很多高明的维修师傅在修理A3开关电源时;只要发现开关管击穿，就也把前面的2SC3807激励管一起更换一样道理(尽管2SC3807管，用万用表测量是好的)。
常见问题：为什么OD（开漏）和OC（开集）输出必须加上拉电阻？答：因为MOS管和三极管关闭时，D、C是高阻态，输出无确定电平，必须提供上拉电平，确定高电平时的输出电压。
CMOS与TTL电路的接口在TTL工艺逻辑芯片中，目前仍在使用的仅存OC输出反向驱动器7406、OC输出同向驱动器7407芯片，因此在应用中还是有可能出现CMOS芯片驱动7406、7407或出现7406、7407驱动CMOS芯片的情况。
2、7406、7407驱动CMOS 此情景下，TTL的最小输出高电平电压VOH小于CMOS的最小输入低电平电压VIH、而TTL的输出低电平最大电压VOL小于CMOS最大输入低电平电压VIL。所以在相接时要接上拉电阻。 如下图所示： 且输出级NPN型三极管的最大耐压为30V，而CMOS电源电压VDD不超过18V，因此在7406、7407的输出端与CMOS负载门电源引脚VDD之间接上拉电阻RL后就能满足负载门输入电压的要求。 
MOS管与三极管的区别1、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。 2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。 3、功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。 4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。 下面针对一些电路设计当中会呈现的情况，列出了几种MOS管和三级管的选择规律： 1、MOS管是电压控制元件，而三级管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用MOS管;而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用三极管。 2、电力电子技术中提及的单极器件是指只靠一种载流子导电的器件，双极器件是指靠两种载流子导电的器件。MOS管是应用一种多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而三极管是既有多数载流子，也应用少数载流子导电。被称之为双极型器件。 3、有些MOS管的源极和漏极可以互换运用，栅压也可正可负，灵活性比三极管好。 4、MOS管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很便当地把很多MOS管集成在一块硅片上，因此MOS管在大范围集成电路中得到了普遍的应用。 5、MOS管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被普遍应用于各种电子设备中。特别用MOS管做整个电子设备的输入级，可以获得普通三极管很难抵达的性能。 如何区分MOS管和三极管用万用表的二极管档（或1k~10k电阻档）测量，三极管的发射极和集电极都对基极单向导通，而发设计和集电极之间互不导通；利用这一点可以确定是否三极管以及类型（PNP管或NPN管）；场效应管则比较复杂，增强型和耗尽型的特点都不一样，但是栅极对源极和漏极一定是不导通的，MOS管也一样，MOS管也是场效应管的一种，只是输入阻抗更高而已。
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