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MOSFET开关电路详解

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sudw|  楼主 | 2025-3-23 15:50 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 sudw 于 2025-3-23 16:08 编辑

MOS管主要是由Metal(金属)、Oxide(氧化物)、Semiconductor(半导体)通过特殊工艺制成
和三极管(电流控制电流型器件)相比,MOS管(电压控制电流型器件)具有栅极驱动基本不需要电流,损耗小、噪声低、抗辐射能力强、输入阻抗高、结构简单、便于集成和热稳定性好等优点
MOSFET可以被制造成P沟道和N沟道两大类,每一类又分为增强型或者耗尽型,所以MOSFET有四种:N沟道增强型MOSFET、N沟道耗尽型MOSFET、P沟道增强型MOSFET、P沟道耗尽型MOSFET
在栅-源电压uGS=0时导电沟道不存在且漏极电流为0的管子均为增强型,在栅-源电压uGS=0时导电沟道已存在且漏极电流不为0的管子均为耗尽型
如下为一张典型的N沟道增强型MOS管开关电路原理图:



D1作用:
续流二极管
R1作用:
1、限流电阻,减小瞬间电流值:MOS管属于压控型器件,两两引脚之间存在寄生电容(Cgs、Cgd、Cds):



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