如何利用硬件PWM死区控制避免MOSFET直通？

只看该作者 · 2025-3-24 07:56

1万 · 2025-3-26 08:18

需要注意的是，过大的死区时间会影响 PWM 波形，导致输出电压降低，要合理取值。

1万 · 2025-3-26 08:20

在 H 桥或半桥驱动中，死区时间过小可能导致上下管同时导通，造成短路烧毁 MOSFET。

1万 · 2025-3-26 08:21

如果 PWM 频率较高，可以使用 Break 机制，防止异常情况下 MOSFET 直通。

1万 · 2025-3-26 08:21

STM32 的高级定时器支持刹车输入（BKIN），可以外接过流保护电路，一旦检测到短路，立即关断 PWM。

1万 · 2025-3-26 08:22

你可以用示波器看看死区时间是否生效，确保两路 PWM 之间有足够的关断时间。

1万 · 2025-3-26 08:23

STM32F4 的高级定时器（TIM1/TIM8）支持死区时间控制，可以通过 TIM_BDTRInitStructure.DeadTime 来设置。

1万 · 2025-3-26 08:24

你是用 PWM 互补模式吗？如果是，可以启用 TIM_OCxN 输出，同时在 BDTR 寄存器中配置死区时间。

1万 · 2025-3-26 08:25

死区时间的计算要根据 MOSFET 的开关时间来设定，通常取 tr + tf（上升时间 + 下降时间）的 1.5~2 倍。

1万 · 2025-3-26 08:26

STM32F4 的死区时间单位是 t_DTS，你可以通过调整时钟源，计算合适的死区时间值。

1万 · 2025-3-26 08:27

你是用 HAL 还是直接操作寄存器？HAL 里用 __HAL_TIM_SET_DEADTIME() 也可以配置死区时间。

只看该作者 · 2025-3-26 17:23

mosfet应该是没有问题的

只看该作者 · 2025-3-31 23:16

可以利用硬件PWM死区控制

只看该作者 · 2025-3-31 23:17

在死区时间内，两个MOSFET都不会导通，从而避免了直通现象。

只看该作者 · 2025-3-31 23:31

可以利用定时器的输出比较模块和死区控制模块来实现这一功能。

只看该作者 · 2025-4-5 19:03

硬件 PWM 死区控制是在上下桥臂的 PWM 信号之间插入一定的死区时间。

只看该作者 · 2025-4-5 20:11

在设置好死区时间后，需要通过实验或仿真来验证死区时间是否足够，以确保不会发生直通现象。可以使用示波器观察PWM信号的波形，检查是否存在同时导通的情况。

只看该作者 · 2025-4-5 21:45

直通会导致电源短路，产生大电流，损坏 MOSFET 和电路。

2万 · 2025-4-6 07:51

确保上下桥臂的PWM信号为互补输出，避免同时导通。

1万 · 2025-4-8 11:17

在上下桥臂MOSFET切换时，强制插入一段延迟，确保一个MOSFET完全关断后，另一个才开始导通。