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[STM32F4]

如何利用硬件PWM死区控制避免MOSFET直通?

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楼主: Bowclad
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maqianqu| | 2025-4-12 21:21 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
效率降低,发热严重。
MOSFET因过流损坏风险增加。
电磁干扰(EMI)加剧。

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yorkbarney| | 2025-4-12 21:32 | 只看该作者
死区时间的设定需要在系统可靠性和输出波形质量之间找到平衡点,通常死区时间为微秒级别。

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biechedan| | 2025-4-12 21:42 | 只看该作者
调整电阻和电容的值可以改变死区时间的长短。一般来说,较大的电阻值或电容值会产生更长的死区时间,但同时也会影响PWM信号的频率响应和波形质量。因此,需要根据实际电路的工作频率和功率元件的要求,合理选择RC延时电路的参数。

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fengm| | 2025-4-13 11:09 | 只看该作者
通过PWM模块的死区寄存器直接配置时间。

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qiufengsd| | 2025-4-13 13:36 | 只看该作者
将控制器产生的带有死区时间的 PWM 信号连接到 MOSFET 驱动电路。驱动电路的作用是将 PWM 信号进行放大和隔离,以满足 MOSFET 的驱动要求。

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mattlincoln| | 2025-4-13 13:57 | 只看该作者
在死区时间内,上下桥臂的 MOSFET 都处于关断状态,这样就可以确保在一个 MOSFET 完全关断之后,另一个 MOSFET 才开始导通,从而避免直通现象的发生。

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timfordlare| | 2025-4-13 14:09 | 只看该作者
合理配置定时器的死区时间。              

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zephyr9| | 2025-4-13 14:59 | 只看该作者
这叫死区时间,防止电机换相时电流冲击。

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claretttt| | 2025-4-13 15:45 | 只看该作者
在软件中手动控制PWM信号的切换时间,确保在切换时插入足够的死区时间。这种方式灵活性高,但需要精确的时序控制。

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houjiakai| | 2025-4-13 16:59 | 只看该作者
在控制器的相关寄存器中,使能死区控制功能,并设置死区时间。

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lzmm| | 2025-4-13 17:26 | 只看该作者
考虑MOSFET的开关特性和驱动电路设计。

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gygp| | 2025-4-13 21:01 | 只看该作者
上桥臂导通时,下桥臂必须完全关断。
下桥臂导通时,上桥臂必须完全关断。

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鹿鼎计| | 2025-4-13 21:58 | 只看该作者
确保PWM信号正负相反,一个高一个低,防止同时导通。

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明日视界| | 2025-4-14 22:52 | 只看该作者
这是为了防止两个mosfet同时导通,造成短路。

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单芯多芯| | 2025-4-16 20:25 | 只看该作者
死区时间让两个MOSFET不能同时导通,防止了直通

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LinkMe| | 2025-4-17 11:08 | 只看该作者
定时器输出比较加死区控制,就是先设置定时器,然后比较输出,再控制时间间隔。

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57
物联万物互联| | 2025-4-19 11:06 | 只看该作者
MOSFET常用于半桥或全桥,控制电机等负载的开关。

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58
回复就哭哭| | 2025-4-30 23:50 | 只看该作者
一旦 IWDG 被启动并开始计时,不能更改预分频和重装载值。所以确保在启动 IWDG 之前配置好所有的参数。

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