如何利用硬件PWM死区控制避免MOSFET直通？

发表于 2025-4-12 21:21

效率降低，发热严重。
MOSFET因过流损坏风险增加。
电磁干扰（EMI）加剧。

发表于 2025-4-12 21:32

死区时间的设定需要在系统可靠性和输出波形质量之间找到平衡点，通常死区时间为微秒级别。

发表于 2025-4-12 21:42

调整电阻和电容的值可以改变死区时间的长短。一般来说，较大的电阻值或电容值会产生更长的死区时间，但同时也会影响PWM信号的频率响应和波形质量。因此，需要根据实际电路的工作频率和功率元件的要求，合理选择RC延时电路的参数。

发表于 2025-4-13 11:09

通过PWM模块的死区寄存器直接配置时间。

发表于 2025-4-13 13:36

将控制器产生的带有死区时间的 PWM 信号连接到 MOSFET 驱动电路。驱动电路的作用是将 PWM 信号进行放大和隔离，以满足 MOSFET 的驱动要求。

发表于 2025-4-13 13:57

在死区时间内，上下桥臂的 MOSFET 都处于关断状态，这样就可以确保在一个 MOSFET 完全关断之后，另一个 MOSFET 才开始导通，从而避免直通现象的发生。

发表于 2025-4-13 14:09

合理配置定时器的死区时间。

发表于 2025-4-13 14:59

这叫死区时间，防止电机换相时电流冲击。

发表于 2025-4-13 15:45

在软件中手动控制PWM信号的切换时间，确保在切换时插入足够的死区时间。这种方式灵活性高，但需要精确的时序控制。

发表于 2025-4-13 16:59

在控制器的相关寄存器中，使能死区控制功能，并设置死区时间。

发表于 2025-4-13 17:26

考虑MOSFET的开关特性和驱动电路设计。

发表于 2025-4-13 21:01

上桥臂导通时，下桥臂必须完全关断。
下桥臂导通时，上桥臂必须完全关断。

发表于 2025-4-13 21:58

确保PWM信号正负相反，一个高一个低，防止同时导通。

发表于 2025-4-14 22:52

这是为了防止两个mosfet同时导通，造成短路。

发表于 2025-4-16 20:25

死区时间让两个MOSFET不能同时导通，防止了直通

发表于 2025-4-17 11:08

定时器输出比较加死区控制，就是先设置定时器，然后比较输出，再控制时间间隔。

发表于 2025-4-19 11:06

MOSFET常用于半桥或全桥，控制电机等负载的开关。

发表于 2025-4-30 23:50

一旦 IWDG 被启动并开始计时，不能更改预分频和重装载值。所以确保在启动 IWDG 之前配置好所有的参数。

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