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MOSFET 选型不合理

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g36xcv|  楼主 | 2025-3-27 18:39 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
Rdson 过大:MOSFET 在导通时的 导通电阻过高,导致功耗增加。

功耗计算:P = I² × Rdson

Vgs 不够高:如果 NMOS 的 Vgs 没有达到推荐值,某些 MOS 需要 10V-12V 以上才能完全导通,会导致 NMOS 处于半导通状态,增加功耗。

MOSFET 额定电流太小,导致 过流发热。

解决方案:

选择 低 Rdson 的 MOSFET,比如 Rdson < 10mΩ 的型号。

适当提高 PWM 驱动电压,确保 NMOS 彻底导通 可使用 12V 供电驱动。

选择 额定电流更高的 MOSFET,以保证足够的余量。


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沙发
dongnanxibei| | 2025-3-27 19:35 | 只看该作者
所以要综合考虑选型问题。

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板凳
xuanhuanzi| | 2025-3-27 20:08 | 只看该作者
开启 电压是完全开启还是开一部分,这个跟三极管一样不

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地板
治愈糖果屋| | 2025-3-27 20:16 | 只看该作者
选择额定电流更高的MOSFET,那是不是意味着成本也会相应增加

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暖心小太阳| | 2025-3-27 22:23 | 只看该作者
MOSFET选型时,Rdson是个关键参数

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星辰伴梦| | 2025-3-28 12:34 | 只看该作者
如何确保Vgs的稳定性,避免因电压波动导致的问题呢

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旧时光放映机| | 2025-3-28 13:24 | 只看该作者
如何通过测试来评估MOSFET的性能呢

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暖茶轻语| | 2025-3-28 21:23 | 只看该作者
如何及时检测到MOSFET是否出现过流发热的情况呢

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