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过流导致的热损耗

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楼主
g36xcv|  楼主 | 2025-3-28 11:36 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS, os, 电流, 电路, 方案, 保护电路
负载过大，导致 NMOS 承受过高的电流。

负载短路或异常，使 NMOS 长时间承受大电流，导致 I²R 损耗 过大。

解决方案：

监测 NMOS 的工作电流，确保不超过额定值。

在电路中加入 限流电阻 或 过流保护电路。

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沙发
gaoyang9992006| | 2025-3-28 13:17 | 只看该作者
这个就需要在S串联一个100mΩ的电阻采集电流了。

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板凳
598330983| | 2025-3-28 13:18 | 只看该作者
开启不彻底也会发热吧

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地板
zhuomuniao110| | 2025-3-28 14:08 | 只看该作者
采集电路如何做比较好

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5楼
dongnanxibei| | 2025-3-28 14:16 | 只看该作者
NMOS是只能做开关还是可以像三极管一样放大小信号呢？

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6楼
我是一颗胖蘑菇| | 2025-3-28 23:43 | 只看该作者
在设计电路时，如何预防过流导致的热损耗呢

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7楼
蚊子的噩梦| | 2025-3-29 10:24 | 只看该作者
如果负载短路异常，如何快速检测并解决呢

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8楼
穷得响叮当侠| | 2025-3-29 16:03 | 只看该作者
如果负载短路异常，如何快速检测并解决呢

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9楼
灵犀幻影| | 2025-3-29 16:05 | 只看该作者
如果电路中已经加入了限流电阻，还需要监测NMOS的工作电流吗

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10楼
作业天敌在此| | 2025-3-29 16:54 | 只看该作者
如果NMOS开启不彻底也会发热，那如何保证NMOS的完全开启呢

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