本帖最后由 molb 于 2025-3-29 17:45 编辑
IGBT:IGBT全称绝缘栅双极晶体管,它是由BJT和MOSFET(组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT是在VDMOSFET基础之上演化发展而来的,结构十分相似,主要不同之处是IGBT用P+衬底取代了VDMOS的N+衬底,形成PNPN四层结构,正向导通时J1结正偏,发生一系列反应,产生PN结电导调制效应,从而有效降低了导通电阻和导通电压,增大了IGBT的流通能力。IGBT具有电导调制能力,相对于功率MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT稳定性比MOSFET稍差,强于BJT,但IGBT耐压比MOSFET容易做高,不易被二次击穿而失效,易于高压应用领域。 |