HC32f030深度睡眠的功耗问题

只看该作者 · 2025-4-3 09:01

最近使用HC32F030做项目，在单片机进入深度睡眠，确保IO没有漏电流后，功耗依然有接近200UA，请问单片机内部还要关闭什么东西？请赐教。

只看该作者 · 2025-4-23 10:44

说明HC32F460的DMA不能同时使用多个通道

只看该作者 · 2025-4-24 14:47

学习一下啊！感觉有点知识慌了

只看该作者 · 2025-6-5 12:11

在HC32F030进入深度睡眠（Deep Sleep）模式后，若功耗仍接近200μA，需系统排查内部模块的漏电路径

只看该作者 · 2025-6-5 13:20

未关闭的外设时钟：即使进入深度睡眠，若外设（如ADC、USART、TIM等）的时钟未完全关闭，仍会产生静态功耗。

只看该作者 · 2025-6-5 14:25

内部电压调节器：默认情况下，VREG可能处于低功耗模式而非完全关闭，导致持续漏电。

只看该作者 · 2025-6-5 15:37

未配置的引脚状态，若GPIO未正确配置为模拟输入（AIN）或高阻态（Hi-Z），可能通过上拉/下拉电阻或外部电路形成漏电路径。

只看该作者 · 2025-6-5 17:43

唤醒源配置不当，若配置了不必要的唤醒源（如RTC、LVD等），可能导致模块持续工作。

只看该作者 · 2025-6-5 18:50

未关闭的Flash/RAM保留区，深度睡眠模式下，若未明确关闭Flash或RAM的保留区，可能产生额外功耗。

只看该作者 · 2025-6-5 20:16

建议啊，在进入深度睡眠前，显式关闭所有外设时钟

只看该作者 · 2025-6-6 09:13

确保无外设时钟残留（可通过调试器观察时钟状态寄存器）

只看该作者 · 2025-6-6 10:25

深度睡眠模式下，可通过寄存器配置关闭VREG或切换至更低功耗模式，值得注意的是关闭VREG可能导致部分模块无法唤醒，需根据应用需求权衡。

只看该作者 · 2025-6-6 13:12

查阅芯片手册确认VREG的具体控制位。将所有未使用的GPIO配置为模拟输入或高阻态