由于 AT32F421 没有独立的 VBAT供电引脚，如果需要使用类似 VBAT供电实现待机功能，需要设计外部的电源切换电路。原理可参考图 1，其中 VDD_MCU 接 MCU 供电引脚 VDD，VDD 接主电源，VBAT 接电电源。图 1. 二极管方案
原理说明：1. 当 VDD 和 VBAT 同时有电时，VDD 电压比 VBAT 电压高；D2 导通，D1 关断，VDD 为 MCU 供电。当VDD 断电时 D1 导通，VBAT 给 MCU 供电；D2 防止 VBAT 漏电到 VDD。注意： VDD 电压必须高于 VBAT，否则 VBAT 将优先 VDD 供电，电池的使用寿命会缩短。D1/D2 选用低压降二极管，尽量减小 VDD_MCU 和 VDD 电压差。
2. PA0 用于检测 VDD 是否掉电，掉电后 PA0 将输入低电平，MCU 检测 PA0 状态后可进入低功耗模式以节省 VBAT 电池耗电；VDD 恢复供电时可通过 PA0 WKUP 唤醒 MCU，这些操作需要通过软件实现。其中 C1、R2 用于滤除电源线路上额外的毛刺或噪声，可以根据硬件环境决定是否使用。VDD 掉电后R1 将 PA0 电平拉至稳定的低电平，也可用 PA0 内部下拉电阻替代。
3. 如果使用环境存在 VBAT 电压高于 VDD 电压的情况，可将图 1 红框中的电路替换为图 2 的电路。VBAT 可以比 VDD 稍高，但不应超过 Q1 的 Vgs 电压，否则 Q1 将导通，VBAT 优先供电 VDD_MCU；VDD_MCU也不可高于 VBAT 太多（视 Q1 的 Drain-Source 寄生二极管而定），否则 VDD_MCU反向漏电到 VBAT。
图 2. MOS 管方案
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